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갈륨비소화합물반도체소자의오옴익적극형성방법

  • 기술번호 : KST2015074566
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 오옴익층의 새로운 금속구조를 제시한다.오옴익층의 형성과정은 종래의 방법과 동일하나 금속구조가 기판으로 부터 Ni/ Ge/Au/Ti/Au 의 적층을 이룬다.이를 약 400℃정도의 온도에서 20초 정도 열처리를 수행하여 오옴익층을 형성한다.본 발명에 의한 오옴익층은 종래의 구조에 비하여 접촉저항값이 향상될 뿐아니라, 표면 조직과 열안정성 역시 향상되는 장점을 가진다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC H01L 29/454(2013.01) H01L 29/454(2013.01)
출원번호/일자 1019940035464 (1994.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0137555-0000 (1998.02.10)
공개번호/일자 10-1996-0026482 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해천 대한민국 대전직할시유성구
2 이종람 대한민국 대전직할시유성구
3 문재경 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159632-90
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159634-81
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159633-35
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159635-26
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159636-72
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0088945-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소화합물반도체소자의 오옴익층을 Au/Ge/Ni/Ti, Au/Ge/Ni/Pt, 또는 /Au/Ge/Ni/Pd 중 하나의 다층금속층으로 형성하되, 상기 Ti층, Pt층, Pd층을 50㎚이하의 두께로 형성하는 공정과;

390도 이상 450도 이하의 온도에서 1분이하로 급속열처리하는 공정을 포함하는 갈륨비소 화합물 반도체소자의 오옴익 전극 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.