투명기판과; 상기 투명기판의 양측 표면 위에 상호간 소정의 제1의 거리를 두고 각각 형성되는 제1 및 제2불투명막들과; 상기 제1 및 제2불투명막들이 형성된 영역 이외의 상기 투명기판의 표면 영역 양측 위에 소정의 제2의 거리를 두고 각각 형성되는 제1 및 제2반투명막들과; 상기 제1 및 제2불투명막들과 상기 제1 및 제2반투명막들이 형성된 영역을 제외한 영역에 상기 투명기판을 소정의 깊이로 식각하는 것에 의해 형성된 위상변환층을 포함하고; 상기 소정의 제1거리는 상기 소정의 제2거리보다 큰 티-게이트 형성을 위한 투과율이 조절된 위상변환 마스크

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2반투명막들은 크롬막으로 구성되는 티-게이트 형성을 위한 투과율이 조절된 위상변환 마스크

투명기판과; 상기 투명기판의 양측 표면 위에 상호간 소정의 제1의 거리를 두고 각각 형성되는 제1 및 제2불투명막들과; 상기 제1 및 제2불투명막들이 형성된 영역 이외의 상기 투명기판의 표면 영역 양측 위에 소정의 제2의 거리를 두고 각각 형성되는 제1 및 제2반투명막들과; 상기 제1 및 제2불투명막들과 상기 제1 및 제2반투명막들 위에 투명막을 증착하는 것에 의해 형성되는 위상변환층을 포함하고; 상기 소정의 제1거리는 상기 소정의 제2거리보다 큰 티-게이트 형성을 위한 투과율이 조절된 위상변환 마스크

석영 마스크 기판(1) 위에 불투명층(2)을 형성하고, 그 위에 레지스트(3)를 도포하여 T-게이트 머리부위를 정의하고 노광 및 현상에 의해 레지스트 패턴(3a)을 형성한 후, 불투명층(2)을 부분적으로 식각하여 반투명층(2a)을 형성하는 공정과; 레지스트(4)를 도포한 후, T-게이트 다리부위를 정의하고 노광 및 현상에 의해 레지스트 패턴(4a)을 형성하여 상기 반투명층(2a)의 일부 표면이 드러나게 하는 공정과; 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 사용하여 표면이 드러난 상기 반투명층(2a)을 식각하고, 레지스트 패턴(4a)을 제거하는 공정을 포함하는 티-게이트 형성을 위한 투과율이 조절된 위상변환 마스크의 제조방법

제4항에 있어서, 상기 반투명층(2a)의 식각 후에 표면이 드러난 상기 석영 마스크 기판을 소정의 깊이로 식각하는 것에 의해 위상변환층을 형성하는 공정을 포함하는 티-게이트 형성을 위한 투과율이 조절된 위상변환 마스크의 제조방법

제4항에 있어서, 상기 레지스트 패턴(4a)을 제거한 후에 상기 불투명막과 상기 반투명막 위에 투명막을 형성하는 것에 의해 위상변환층을 형성하는 공정을 포함하는 티-게이트 형성을 위한 투과율이 조절된 위상변환 마스크의 제조방법