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소정의 기판(1)위에 컬렉터(2)를 형성하고, 그 위에 컬렉터 접합층(3)을 형성한 후에, 국부적으로 절연막(4)을 형성하는 공정(A)과, 상기 컬렉터 접합층(3)위에 금속성 박막층(5)을 형성하고 소자의 활성영역과 컬렉터 금속접촉영역을 제외한 부분을 식각하는 공정(B)과, 상기 식각된 금속성 박막층(5)위에 절연막(6)을 도포하고 박막(7)을 성장시키는 공정(C)과, 상기 도포된 박막(7)을 평탄화시키고, 소정의 기판(9)고 직접 접합(Direct bonding)시키는 공정(D)과
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2
제1항에 있어서, 상기 컬렉터(2)와 컬렉터 접합층(3)은 다결정 반도체박막 또는 다결정 반도체 박막을 성장시키는 것에 의해 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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3
제1항에 있어서, 상기 컬렉터(2)과 컬렉터 접합층(3)은 금속성 박막을 성장시키는 것에 의해 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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4
제1항에 있어서, 상기 금속성 박막층(5)은 순수금속 또는 내화금속으로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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5
제1항에 있어서, 상기 절연막(4)은 열산화막, 증착산화막, 질화막, 폴리에미드(polyemide), 또는 붕소와 인이 함유된 절연막 BPSG(boron phosphorus silica glass) 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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6
제1항에 있어서, 상기 절연막(6)은 산화막, 질화막 또는 폴리에미드 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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7
제1항에 있어서, 상기 절연막(6)은 다결정 박막, 비정질박막, 또는 붕소와 인을 포함한 절연막 BPSG 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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8
제1항에 있어서, 박막(7)은 다결정박막, 비정질박막, 또는 붕소와 인이 함유된 절연막 BPSG 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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9
제8항에 있어서, 상기 다결정 박막(7)은 다결정규소, 다결정 GaAs, 다결정 InP중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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10
제8항에 있어서, 상기 비정질 박막(7)은 비정질규소, 비정질 GaAs, 비정질 InP, 폴리에미드 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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11
제1항에 있어서, 상기 기판(9)은 규소, GaAs, InP, 사파이어, 다이아몬드 중 하나인 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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