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초음파를이용한박막성장장치

  • 기술번호 : KST2015074641
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막을 성장할 때 가열된 기판에 초음파를 인가하여 기판에 형성되는 박막의 질을 개선하는 장치에 관한 것으로, 종래의 박막성장장치에 고품질의 성장박막을 얻기 위하여 성장중인 기판에 초음파를 인가하는 장치를 제공하는데 목적이 있다.이러한 목적으로 본 발명은 기판에 성장박막을 강하게 용착시킬 수 있고, 성장이 어려운 물질도 쉽게 성장이 가능하도록 하여 박막의 질을 향상시킬 수 있고 전기적, 광학적 특성이 좋은 박막을 제조할 수 있다. 본 발명은 상술한 작용으로 박막성장 중 기판에 인가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수가 반인 물질은 배로 증가하게 되므로 결정성장 중 배경압력을 충분히 낮추어 성장박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC C23C 16/4415(2013.01) C23C 16/4415(2013.01) C23C 16/4415(2013.01)
출원번호/일자 1019940023880 (1994.09.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0148419-0000 (1998.05.26)
공개번호/일자 10-1996-0012323 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전직할시유성구
2 이해권 대한민국 대전직할시유성구
3 김경수 대한민국 대전직할시서구
4 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108373-85
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108374-20
3 특허출원서
Patent Application		 1994.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108372-39
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108375-76
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108376-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060824-54
7 의견서
Written Opinion		 1998.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108377-67
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108378-13
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060825-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판 지지대에 의해 지지된 기판과, 이 기판의 온도를 조절하기 위한 히터와, 히터로부터 기판에 균일한 열을 전달해 주는 확산자를 포함하는 박막 성장장치에 있어서, 상기 기판에 성장되는 박막의 부착계수를 높이고 박막의 질을 향상시키기 위하여 상기 기판에 초음파를 직접 인가할 수 있는 초음파 인가수단을 부가하되, 상기 초음파 인가수단이 기판의 후면에 부착되는 초음파 진동자인 것을 특징으로 하는 박막성장장치

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제1항에 있어서, 상기 초음파 진동자가 석영 기판과, 그 석영기판 상면에 소정폭의 전극패턴이 서로 격간으로 배열 형성되어 2개의 전극패턴으로 분리 형성된 금속전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막성장장치

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제3항에 있어서, 상기 금속 전극이 금, 텅스텐, 몰리브덴 및 탄탈륨 중의 어느하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막성장장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.