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광입력저항불일치의무전압광쌍안정논리소자

  • 기술번호 : KST2015074656
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 외부 전압 인가 없이도 광 쌍안정 특성이 가능한 ESQW S-SEED, ACQW S-SEED, SMQW S-SEED 등의 무전압 광 쌍안정 논리장치의 제작에 있어 기존의 구조를 이용할 경우 쌍안정 특성이 충분치 못한 점을 비대칭 페브리-패로(AFP) 공명 구조를 이용하여 극복함에 있어, 광 입력 저항 불일치된(impedance-mismatched) AFP 구조를 이용하여 무전압 광 쌍안정 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.일반적으로 사용하는 광 입력 저항 일치된(impedance-matched) AFP 구조에서는 ON/OFF 강도비가 매우 큰 장점이 있으나, 광 시스템에서 더욱 중요한 반사율의 차이(△1R) 와 광 쌍안정 폭(△1)이 비교적 작다는 단점이 있었다.이를 해결하는 방법으로 MQW로 이루어진 진성 영역의 두께를 MQW의 주기수를 적절히 줄여 감소시키면 광 시스템에서 필요로 하는 적절한 ON/OFF 강도비를 유지하면서도 △1R과 △1를 크게 증가시킬 수 있는 저항 불일치된 AFP 구조를 제시한다.또한 본 발명의 구조에서는, 진성 영역의 두께가 저항 일치된 AFP 구조보다 더욱 감소되므로, PIN 다이오드를 이루는 물질에 의해 결정되는 주어진 내재 전압에 의한 내재 전계가 증가하여 광 쌍안정 특성을 더욱 크게 할 수 있는 구조이기도 하다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01)H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1019940029926 (1994.11.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0141343-0000 (1998.03.19)
공개번호/일자 10-1996-0019808 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.15)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영완 대한민국 서울특별시송파구
2 권오균 대한민국 대전직할시대덕구
3 김광준 대한민국 대전직할시유성구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.15 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135209-38
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.15 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135207-47
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.15 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135208-93
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135210-85
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135211-20
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0075504-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

진성 영역으로서 무전압 광 쌍안정 특성을 가능하게 하는 다중양자 우물(MQW)과, 이 다중 양자 우물의 여기자 공명 파장에서 서로 다른 반사율의 상부 거울층과 하부 거울층을 갖고 ; 공명 파장이 여기자의 공명 파장과 일치하는 비대칭형 패브리-페로(AFP) 구조를 사용한 시드(SEED ; Self Electro-optic Effect Device)에 있어서 ;

광 입력 저항 일치(impedance matching)된 비대칭형 패브리-페로 시드(AFP-SEED)의 다중 양자 우물(MQW)의 주기수보다 상대적으로 작은 주기수의 다중 양자 우물을 가지는 것에 의해 광 흡수층의 총 두께(D)가 감소된 구조의 광 입력 저항 불일치의 무전압 광 쌍안정 논리소자

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1 JP02641705 JP 일본 FAMILY
2 JP07209681 JP 일본 FAMILY
3 KR100148418 KR 대한민국 FAMILY
4 KR1019970006606 KR 대한민국 FAMILY
5 US05623140 US 미국 FAMILY

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1 JP2641705 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7209681 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07209681 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5623140 US 미국 DOCDBFAMILY
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