반도체 장치의 제조를 위한 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 방법에 있어서, a) 반도체 기판(51)위에 패드산화막(52), 폴리실리콘층(53), 규소산화막(54), 질화막(55) 및 규소산화막(56)을 순차적으로 형성하는 공정; b) 활성영역을 정의한 후, 비활성영역상의 상기 규소산화막(56), 질화막(55) 및 규소산화막(54)을 순차적으로 식각하는 공정; c) 정의된 활성영역상에 있는 막(54~56)의 측면에 측면질화막(57)을 형성하고, 상기 비활성영역의 노출된 폴리실리콘층(53) 상부에 절연층(58)을 형성하는 공정; d) 상기 측면질화막(57)을 개구하고 개구된 측면질화막 패턴을 이용하여 상기 기판(51)의 소정부위 까지 식각한 후 이 식각부위에 절연물을 매몰하여, 상기 제거된 측면질화막(57) 패턴에 대응하는 폭을 갖으며 절연물로 채워진 저심도랑(insulator-filled shallow trench)을 형성하는 공정; e) 상기 도랑에 의해 격리된 활성영역의 질화막(55)과 비활성영역의 패드산화막(52)을 각각 노출시킨 후, 기판을 열산화하여 버즈-빅(bird's beak)이 없는 필드산화막(50)을 형성하는 공정; 및 f) 상기 활성영역에 남아있는 패드산화막(52) 상부의 층들을 차례로 제거하는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 소자격리 방법

제1항에 있어서, 상기 (e)공정의 열산화공정 전에 폴리실리콘의 빠른 산화특성을 이용함과 동시에 상기 질화막(55)의 스트레인(strain)을 방지하기 위하여, 기판의 전면에 약 400Å 두께의 폴리실리콘층(55')을 증착하는 공정을 부가한 반도체 장치의 소자격리방법

제1항에 있어서, 상기 절연물로 채워진 저심도랑(59)의 폭 3㎛ 이하이고, 그 깊이는 5㎛ 이하인 반도체 장치의 소자격리방법

제1항에 있어서, 상기 (d)공정의 저심도랑(59)을 채우는 절연물이 BPSG(Boron Phosphorous Silica Glass), Si3N4 및 폴리이미드(polyimide) 중의 어느 하나로 이루어진 반도체 장치의 소자격리방법

반도체 장치의 제조를 위한 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 방법에 있어서, a) 반도체 기판(61)의 전면에 패드산화막(62), 폴리실리콘층(63), 규소산화막(64), 질화막(65) 및 다결정규소박막(66)을 순차적으로 형성하는 공정; b) 트랜치 격리마스크를 이용하여 상기 기판(61)의 소정부위를 포함하고 상기 기판상에 형성된 각층들의 두께에 대응하는 깊이를 갖는 트랜치 형성을 위한 트랜치 식각공정; c) 상기 트랜치 패턴을 충분히 피복할 수 있을 정도의 두께로 격리절연막(67)을 도포하는 공정; d) 상기 다결정규소박막(66)을 1차 연마중지막으로 이용하고, 상기 질화막(65)을 2차 연마중지막으로 이용하여 상기 격리절연마(67)을 기계화학적 연마방법(Chemical-Mechanical Polishing)에 의해 평탄화하는 공정; e) 상기 평탄화된 격리절연만(67)에 의해 정의된 활성영역의 상부를 후속공정의 열산화로부터 보호하기 위하여, 상기 격리절연막(67)을 포함한 활성영역 상부에 질화막 패턴(65')을 형성하는 공정; f) 상기 비활성영역의 패드산화막(62)을 노출시킨 후, 기판을 열산화하여 버즈-빅(bird's beak)이 없는 필드산화막(60)을 형성하는 공정; 및 g) 상기 활성영역에 남아있는 패드산화막(52) 상부의 층들을 차례로 제거하는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 소자격리방법

제5항에 있어서, 상기 (b)공정에 의해 형성된 트랜치 패턴의 폭은 3㎛ 이하이고, 트랜치 패턴의 깊이는 5㎛ 이하인 반도체 장치의 소자격리방법

제5항에 있어서, 상기 1차 연마중지막으로 사용된 상기 다결정규소박막(66)과 2차 연마중지막으로 사용된 질화막(65)의 두께는 상기 트랜치 패턴의 깊이와 격리절연막(67)과의 연마선택비를 고려하여 결정되며, 상기 폴리실리콘층(63)의 두께는 약 2000Å이고, 상기 패드산화막(62)의 두께는 약 300~500Å이고, 상기 패드산화막(62)의 두께는 약 300~500Å인 반도체 장치의 소자격리방법

제5항에 있어서, 상기 (c)공정의 격리절연막(67)이 BPSG(Boron Phosphorous Silica Glss), Si3N4 및 폴리이미드(polymide) 중의 어느 하나로 이루어진 반도체 장치의 소자격리방법