반도체 기판(11)과; 상기 반도체 기판(11) 위에 금속성 박막으로 이루어지는 콜렉터 매몰층(13)과; 상기 반도체 기판(11) 위에 상기 콜렉터 매몰층(13)과 전기적으로 연결되는 오믹 접촉층(15)과; 상기 반도체 기판(11)과 상기 콜렉터 매몰층(13)을 덮도록 형성되는 절연층(14) 및; 상기 오믹 접촉층(15) 위에 형성되고, 상기 오믹 접촉층(15)과 전기적으로 연결되는 콜렉터(17)를 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

제1항에 있어서, 상기 절연층(14)의 양측면에 형성되는 두 개의 측벽(16)을 부가적으로 포함하고, 상기 콜렉터(17)는 상기 두 개의 측벽(16) 사이에 형성되어서 상기 오믹 접촉층(15)과 전기적으로 연결되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

제2항에 있어서, 상기 측벽(16)은 산화막, 산화막/질화막 또는 산화막/질화막/산화막 중 하나로 구성되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속성 박막은 티타늄 실리사이드(TiSi2), 티타늄 니트라이드(TiN), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 코발트 실리사이드(CoSi2), 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 탄탈륨 실리사이드(TaSi2) 중 하나로 구성되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

반도체 기판(11)과; 상기 반도체 기판(11) 위에 형성되는 제1절연막(12)과; 상기 제1절연막(12) 위에 형성되는 금속성 박막으로 이루어지는 콜렉터 매몰층(13)과; 상기 반도체 기판(11) 위에 형성되고, 상기 콜렉터 매몰층(13)과 전기적으로 연결되는 오믹 접촉층(15)과; 상기 오믹 접촉층(15) 이외의 상기 반도체 기판(11)과 상기 콜렉터 매몰층(13)을 덮도록 형성되는 제2절연막(14) 및; 상기 오믹 접촉층(15) 위에 형성되고, 상기 오믹 접촉층(15)과 전기적으로 연결되는 콜렉터(17)를 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

제5항에 있어서, 상기 제2절연막(14)의 양측면에 형성되는 두개의 측벽(16)을 부가적으로 포함하고, 상기 콜렉터(17)는 상기 두개의 측벽(16) 사이에 형성되어서 상기 오믹 접촉층(15)과 전기적으로 연결되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

제6항에 있어서, 상기 측벽(16)은 산화막, 산화막/질화막 또는 산화막/질화막/산화막 중 하나로 구성되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

제5항 또는 제7항에 있어서, 상기 금속성 박막은 티타늄 실리사이드(TiSi2), 티타늄 니트라이드(TiN), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 코발트 실리사이드(CoSi2), 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 탄탈륨 실리사이드(TaSi2) 중 하나로 구성되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터

반도체 기판(31) 위에 금속성 박막(33a)을 형성하는 공정과; 포토리소그라피에 의해 매몰층 영역을 정의하고, 상기 매몰층 영역 이외의 부분에 형성되어 있는 상기 금속성 박막(33a)을 제거하여 상기 매몰층 영역 부분에만 금속성 박막(33b)을 남기는 공정과; 그 위에 절연막(34)을 증착하고, 포토리소그라피에 의해 콜렉터 영역을 정의한 후, 상기 콜렉터 영역의 상기 절연막(34)과 상기 금속성 박막(33b)을 순차로 제거하여 금속성 매몰층(33)을 형성하는 공정과; 선택적인 에피택셜 성장법에 의해 상기 콜렉터 영역의 상기 반도체 기판(31) 위에만 오믹 접촉층(35)을 형성하는 공정과; 상기 오믹 접촉층(35) 위에 선택적인 에피택셜 성장법에 의해 콜렉터(37)를 형성하는 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제9항에 있어서, 상기 금속성 박막(33b)을 제거하는 상기 공정은 상기 절연막(34)에 비해 상기 금속성 박막(33b)을 과식각하는 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제9항에 있어서, 상기 콜렉터 형성공정은 상기 절연막(34)의 양측면에 각각 측벽(36)을 형성하는 공정을 부가적으로 포함하고, 상기 측벽 형성공정이 완료된 후, 상기 콜렉터 형성공정이 수행되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제11항에 있어서, 상기 측벽(36)은 산화막, 산화막/질화막 또는 산화막/질화막/산화막 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제9항 내지 제12항 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속성 매몰층(33)은 티타늄 실리사이드(TiSi2), 티타늄 니트라이드(TiN), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 코발트 실리사이드(CoSi2), 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 탄탈륨 실리사이드(TaSi2) 중 하나인 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제13항에 있어서, 상기 오믹 접촉층 형성공정은, 상기 반도체 기판(31) 위에 단결정 실리콘층(35)을 성장시키는 공정과, 상기 단결정 실리콘층(35)에 고농도로 불순물을 이온주입한 후 열처리하는 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제13항에 있어서, 상기 오믹 접촉층 형성공정은 상기 반도체 기판(31) 위에 단결정 실리콘층(35)을 성장시킴과 동시에 거기에 불순물을 고농도로 주입하는 인-시츄 불순물 주입 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 오믹 접촉층 형성공정에서의 불순물 주입농도의 범위는 1019~1021atom/㎤인 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

반도체 기판(31) 위에 각각 제1절연막(32a)과 금속성 박막(33a)을 순차로 형성하는 공정과; 포토리소그라피에 의해 매몰층 영역을 정의하고, 상기 매몰층 영역 이외의 부분에 형성되어 있는 상기 제1절연막(32a)과 상기 금속성 박막(33a)을 순차로 제거하여 상기 매몰층 영역 부분에만 상기 제1절연막과 매몰층용 금속성 박막(33b)을 남기는 공정과; 그 위에 제2절연막(34)을 증착하고, 포토리소그라피에 의해 콜렉터 영역을 정의한 후, 상기 콜렉터 영역의 상기 제2절연막(34)과 상기 매몰층용 금속성 박막(33b)을 순차로 제거하여 금속성 매몰층(33)을 형성하는 공정과; 선택적 에피택셜 성장법에 의해 상기 콜렉터 영역의 상기 반도체 기판(31) 위에만 오믹 접촉층(35)을 형성하는 공정과; 상기 오믹 접촉층(35) 위에 선택적인 에피택셜 성장법에 의해 콜렉터(37)를 형성하는 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제17항에 있어서, 상기 콜렉터 영역의 상기 제2절연막(34)의 양측면에 각각 측벽(36)을 형성하는 공정을 부가적으로 포함하고, 상기 측벽 형성공정이 완료된 후, 상기 콜렉터 형성공정이 수행되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제18항에 있어서, 상기 측벽(36)은 산화막, 산화막/질화막 또는 산화막/질화막/산화막 중 하나로 형성되는 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법

제17항 내지 제19항 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속성 매몰층(33)은 티타늄 실리사이드(TiSi2), 티타늄 니트라이드(TiN), 텅스텐 실리사이드(WSi2), 코발트 실리사이드(CoSi2), 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 탄탈륨 실리사이드(TaSi2) 중 하나인 쌍극자 트랜지스터의 콜렉터 제조방법