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저문턱전류표면방출레이저의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074727
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수직공진형 표면방출 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, AlAs/GaAs거울층에 Zn 확산으로 AlGaAs 조성혼합 영역이 형성되는 특징을 이용하여 식각된 거울층의 측면에 Zn을 확산시켜 고농도의 Zn 도핑영역과 조성혼합영역을 형성시킨다.따라서 거울층의 측면을 따라 고농도의 p형 도핑영역이 형성되어 직렬저항이 감소되어 문턱전류와 문턱전압을 낮출 수 있으며, AlGaAs 조성혼합영역의 굴절률이 AlAs 보다 낮아 광학적 국한이 강화됨으로써 문턱전류를 낮게 할 수 있고 출력을 높게 할 수 있다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/183(2013.01) H01S 5/183(2013.01)
출원번호/일자 1019940030098 (1994.11.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0138858-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0019880 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박효훈 대한민국 대전직할시유성구
2 유병수 대한민국 대전직할시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135936-13
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135935-67
3 특허출원서
Patent Application		 1994.11.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135934-11
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135937-58
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0135938-04
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0075933-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

수직공진형 표면방출 레이저의 제조방법으로서,

반도체 기판과 하부 거울층, 활성층, 상부 거울층이 순서대로 성장되어 있는 구조에서 상기 상부 거울층 위에 표면 보호층을 증착시키는 단계,

상기 구조에서 상기 기판의 뒷면에 금속전극을 오옴접촉이 되게 증착시키는 단계,

상기 표면 보호층위에 포토 레지스터를 입히고 리소그래피하여 상기 보호막과 상기 상부 거울층을 식각하는 단계,

확산 보호막을 증착하는 단계,

상기 확산 보호막을 선택적으로 식각하는 단계,

Zn을 확산시키는 단계,

상기 상부 거울층의 윗면에 남아 있는 확산 보호막을 식각하는 단계,

전극을 형성한 다음 소자를 전기적으로 고립시키는 단계,

로 이루어진 수직 공진형 표면방출 레이저의 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 확산 보호막을 증착하는 단계에서 수평방향과 평행한 방향으로 증착되는 확산보호막의 두께가 상기 상부 거울층의 측면에 있는 확산 보호막의 두께보다 더 두껍다는 사실을 이용하여 상기 확산 보호막을 선택적으로 식각하는 단계에서는 상기 상부 거울층의 측면에 있는 확산 보호막은 완전히 제거되고 수평방향과 평행한 방향으로 증착된 확산보호막은 완전히 식각되지 않도록 함으로써, 상기 확산된 Zn은 상기 상부 거울층의 측면에만 확산되는 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면방출 레이저의 제조방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 전극을 상기 상부 거울층을 식각하는 단계에 의해 식각된 상부 거울층의 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 하부 표면방출 레이저의 제조방법

4 4

제1항에 있어서,

상기 상부 거울층의 윗면에 남아 있는 확산 보호막을 식각하는 단계에 상기 상부 거울층의 주위에 있는 확산 보호막도 제거함으로써, 상기 전극이 상기 상부 거울층의 윗면과 상부 거울층의 상기 주위와 상부 거울층의 측면에도 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 하부 표면방출 레이저의 제조방법

5 5

제1항에 있어서,

상기 상부 거울층의 윗면에 남아 있는 확산 보호막을 식각하는 단계는 상부 거울층 윗면에 남아 있는 확산 보호막은 포토 레지스터로 막고 상부 거울층의 주위에 있는 확산 보호층을 반응성 이온식각으로 제거함으로써, 상기 전극이 상부 거울층의 측면과 상기 주위에만 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 하부 표면방출 레이저의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.