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마이크로웨이브시스템용공진기

  • 기술번호 : KST2015074737
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 한정된 전파자원을 효율적으로 활용하기 위해서는 매우 우수한 특성의 마이크로웨이브 부품개발이 요구되는바, 여기에 높은 양호도를 발휘할 수 있는 무손실 무저항의 고온초전도체의 응용은 마이크로웨이브 부품의 특성 향상애 매우 유리하다. 본 발명은 고온초전도 박막을 이용하여 마이크로웨이브 대역에서 사용할 수 있는 새로운 개념을 갖는 섭동된 이중모드 원판형 공진기의 설계 및 제작에 관한 것이며 고온초전도 에피택셜박막과 시뮬레이션으로 구한 최적 회로패턴을 전사시킨 전자선 마시크를 이용한 포토리소그래픽 공정과 식각공정을 통해, YBa2Cu3O7-8/MgO/Ti(또는 Cr)/Ag 구조의 섭동된 고온초전도 이중모드 원판형 공진기를 제작한다. 본 발명의 소자는 기존의 금속박막형 고주파 수동소자보다 성능이 우수하다.
Int. CL H01P 7/00 (2006.01)
CPC H01P 7/10(2013.01) H01P 7/10(2013.01) H01P 7/10(2013.01)
출원번호/일자 1019940033887 (1994.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0027042 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 대전직할시서구
2 강광용 대한민국 대전직할시유성구
3 한석길 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152427-28
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152428-74
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152426-83
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152429-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0085018-01
6 대리인변경신고서
Agent change Notification		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152430-66
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152431-12
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152432-57
9 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1997.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0085019-46
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0085020-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

마이크로웨이브용 단결정기판과;상기 단결정기판의 주표면 위에 이중모드구조로 각각 형성되는 입출력 단용 두개의 결합축들과; 상기 단결정기판의 상기 주표면 위에 상기 결합축들 각각으로부터 소정의 간격을 두고서 형성되는 그리고 공진주파수의 갈라짐상을 유도하는 소정 형태의 섭동영역을 갖는 중심도체와; 접지평면을 포함하는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

2 2

제1항에 있어서, 상기 중심도체는 원판형으로 형성되는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

3 3

제1항에 있어서, 상기 중심축들은 상호간 0°에서 180°미만의 각도를 이루도록 형성되는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

4 4

제1항에 있어서, 상기 중심축들 및 상기 중심도체는 고온초전도물질로 각각 형성되는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

5 5

제1항에 있어서, 상기 중심축들은 상호간 90°의 각도를 이루도록 형성되는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

6 6

제1항에 있어서, 상기 단결정기판은 MgO, LaAlO3, Al2O3 중 어느 하나인 마이크로웨이브 시스템용 공진기

7 7

제1항에 있어서, 상기 섭동영역은 사각형의 형태를 갖는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

8 8

제1항에 있어서, 상기 중심축들 및 상기 중심도체는 YBa2Cu3O7-4 박막으로 형성되는 마이크로웨이브 시스템용 공진기

9
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.