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평면형광검출기의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074751
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평면형 광검출기의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 p형 금속전극의 칩의 전면에, n형 전극은 칩의 뒷면에 형성되어서 와이어 본딩에 의한 패키지반을 사용할 수 밖에 없는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MOCVD에 의한 에피층 성장공정 (a)과, 제l실리콘 질화막(43)을 마스크로 한 아연 확산공정(b)과, 인듐인 표면층(42)의 선택적 습식식각 공정(c)과, 인듐인 표면층(42)의 선택적 습식식각 공정(e)과, p형 및 n형 금속전극(46p, 46n) 형성공정 (f)과, p형 인늄칼륨비소층(41p)의 선택적 습식식각 공정(g)과, 무반사막 및 패시베이션용 제3실리콘 질화막(45) 증착후 플립 칩 본딩영역 식각공정(h)을 제공함으로써 본딩용 와이어가 없는 플립 칩 본딩 패키지에 적용할 수 있어 광검출기 모듈의 특성을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 대량생산에 유리하고, 고속동작에 유리한 특성을 갖는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1019940014062 (1994.06.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0123297-0000 (1997.09.12)
공개번호/일자 10-1996-0002902 (1996.01.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970009732 (19970617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.06.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박기성 대한민국 대전직할시유성구
2 박찬용 대한민국 대전직할시유성구
3 김홍만 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064487-60
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064489-51
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064488-16
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064490-08
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064491-43
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0036180-41
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0064492-99
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0036181-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n형 인듐인(InP) 기판(37상에 소정 두께를 갖는 인듐인 표면층(42)을 포함하는 에피층을 성장하는 공정(a)과, 소정패턴을 갖는 제1마스크를 사용하여 상기 에피층내의 일정영역에 제1불순물을 확산기켜 p형영역(44)을 형성하는 공정(b)과, 상기 제1마스크를 사용하여 상기 인듐인 표면층(42)을 선택적으로 제거하는 공정(c)과, 상기 소정의 화학증착법으로 소정패턴을 갖는 제2마스크를 사용하여 광흡수창 영역과 전극영역을 정의하고 상기 전극영역에 대응하는 인듐인 표면층(42)을 선택적으로 제거하는 공정(e)과, 상기 광흡수창 영역에는 p형 급속전극(46p)을 그리고 상기 전극영역에는 n형 급속전극(46n)을 형성하는 공정(f)과, 상기 광흡수창 영역내의 노출된 인듐갈륨비소(InGaAs)층(41p)을 선택적으로 식각하는 공정(g)과, 상기 공정(g)위에 광흡수창의 무반사막 코팅 및 플립 칩 본딩용 패시베이션을 위하여 제3실리콘 질화막(47)을 소정의 화학증착법으로 증착하고, 플립 칩 본딩용 솔더가 형성되는 영역만을 식각해내는 공정(h)을 포함하는 평면형 광검출기의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 에피층을 형성하는 공정은 상기 기판(37)상에 n형 인듐인 버퍼층(38), 도우핑이 안된 인듐갈륨비소(InGaAs) 광흡수층(39), 도우핑이 안된 인듐인 클래드층(40), 인듐갈륨비소 오믹접촉층(41) 및 인듐인 표면층(42)을 소정의 유기금속 화학증착법에 의해서 각각 순차적으로 증착하는 평면형 광검출기의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 p형 영역(44)을 형성하는 공정에 있어 상기 제1마스크는 상기 기판(37)상에 소정의 패턴을 갖는 제1실리콘 질화막(SkNx)(43)을 사용하는 평면형 광검출기의 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 p형 영역(44)은 상기 클래드층(40)과 오믹접촉층(41) 및 표면층(42)에 형성된 평면형 광검출기의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제1불순물은 아연(Zn)인 평면형 광검출기의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제2마스크는 소정의 패턴을 갖는 제2실리콘 질화막(45)인 평면형 광검출기의 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 공정(c)후에 상기 제1마스크를 소정용액에서 제거한 후, 소정의 화학증착법으로 제2마스크를 증착하고 광흡수창 영역과 p형 및 n형의 전극형성 부분만을 식각해내는 공정(d)이 부가되고, 상기 공정(h) 후에 상기 n형 인듐인 기판(37)의 뒷면에 n형 급속전극을 증착하는 공정이 부가된 평면형 광 검출기의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.