반도체 기판(10) 위에 전자사이크로트론 공명 화학증착법(ECR-CVD)으로 제1절연층(1)을, RF플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 제2절연층(2)을, 상기 전자사이크로트론 공명 화학증착법(ECR-CVD)으로 제3절연층(3)을 차례로 형성하여, 상기 제1, 제3절연층(1)(3)과 제2절연층(2)의 식각속도가 상이하도록 3중 층간 절연막을 형성하는 공정과; 상기 제3절연층(3) 위에 소정 패턴을 갖는 포토레지스트막(4)을 형성하여, 금속전극이 형성될 영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(4)을 마스크로 사용하여, 동일한 식각조건하에서 상기 제1, 2, 3절연층(1, 2, 3)을 식각하여 식각속도에 따라 제2절연층이 제1절연층과 제3절연층보다 빠른 속도로 과식각되게 하는 공정과; 그 위에 금속막(5)을 도포한 다음 상기 기판(10) 상의 모든 절연층을 제거하여 상기 기판(10)상에 T형의 금속전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 반도체 기판(10)은 반절연성 화합물기판인 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제2항에 있어서, 상기 반도체 기판(10) 내에 이온주입에 의한 전기적 활성층을 형성하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제2항에 있어서, 상기 반도체 기판(10) 상에 에미터 캡층 또는 오믹 접촉층을 형성하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제1절연막(1)과 제3절연막(3)은 모두 실리콘 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 절연막(1)은 400-600nm 두께의 실리콘질화막으로 형성되고, 그리고 제3절연막은 100 내지 150nm의 두께의 실리콘 질화막으로 형성된 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제2절연막(2)은 150-200℃의 온도에서 SiH4/NH3 혼합가스를 사용하는 통상적인 RF 플라즈마 화학증착법에 의해 약 300nm 두께의 실리콘 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 포토레지스트막(4)의 형성 공정중에 그의 표면에 돌출부가 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 티형 금속전극의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 식각 공정은 C2F6의 프레온 가스를 자계인가형 반응성 이온식각 장비내에 주입하고, 13