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반절연성 GaAs 기판위에 순방향 메사구조로 순차적으로 형성된 고농도의 GaAs 완충층(1), 공핍층의 역할을 수행하는 제 1, 2 간격측(2, 3) 및 제 3, 4 간격층(6, 7);상기 제 2 간격층(3)과 제 3 간격층(6)사이에 이중장벽 양자우물구조로 형성된 제 1, 제 2 장벽층(4a, 4b) 및 이들의 계면에 형성된 우물층 (5); 및 상기 제 4 간격층(7) 상부에 형성되어 표면에 입사한 빛의 대부분을 공핍층에서 흡수될 수 있도록 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 창(window)층(8)을 구비하여 상기 창층(8)을 통하여 조사된 빛의 세기에 따라 공명투과소자의 진동특성을 제어하는 것을 특징으로 하는 광제어(optical controlled) 공명투과 진동자
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제 1 항에 있어서, 상기 공명투과소자의 진동특성은 빛의 세기에 따라 공명투과 소자의 직렬저항, 부저항 및 정전용량이 변화하여 진동특성을 2 혹은 3단계 이상으로 제어 가능한 것을 특징으로 하는 광제어 공명투과 진동자
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제 1 항에 있어서, 상기 이중장벽 양자우물구조의 장벽층(4a, 4b)은 비공명투과전류를 줄이기 위하여 장벽높이(barrier height)가 높고 터널링이 가능한 40Å두께의 도핑되지 않은 AlAs로 구성되고, 장벽사이에 형성된 우물층(5)은 45Å두께의 도핑되지 않은 GaAs로 구성된 것을 특징으로 하는 광제어 공명투과 진동자
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제 1 항에 있어서, 상기 창층(8)은 표면에서의 빛의 흡수를 줄이고 입사한 대부분의 빛이 간격층에 흡수되어 양자효율을 극대화시킬 수 있도록 약 5000Å두께와 2×1018㎝-3의 고농도도핑된 큰 밴드갭을 갖는 Al0
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제 1 항에 있어서, 상기 이중장벽위에 형성된 제 3, 4 간격층(6, 7)은 빛조사에 의한 직렬저항의 변화와 이중장벽에서의 전압강하를 더욱 크게하기 위하여 도핑되지 않은 500Å두께의 GaAs로 4×1017㎝-3로 도핑된 1000Å두께의 n형 GaAs 로 각각 구성된 것을 특징으로 하는 광제어 공명투과 진동자
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반졀연성 GaAs 기판위에 n+GaAs 완충층(1), 제 1, 제 2 간격층(2, 3), 이중장벽 양자우물구조의 제 1 장벽층(4a), 우물층(5) 및 제 2 장벽층(4b), 제 3, 제 4, 간격층(6, 7) 및 창층(8)을 MBE(Molecular Beam Epitaxy)방법으로 순차적으로 성장시키는 공정; 소정의 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 순방향 메사구조를 형성하기 위해 상기 완충층(1)의 일부가지 메사식각하는 공정; 저항성 접촉(ohmic contact)을 형성하기 위하여 상기 메사구조와 완충층(1) 상부에 개구부(11)를 형성한 후, 상기 개구부(11)에 AuGe/Ni/Au 의 다층금속패턴(9)을 증착하는 공정; 소자격리(isolation)를 위한 식각공정; 소자 전표면에 소정의 절연막(10)을 증착한 후, 상기 금속패턴(9)상에 접촉홀을 형성하는 공정; 상기 접촉홀에 본딩패드(bonding pad)를 위한 금속패턴(9')을 형성한 후, 미세패턴을 용이하게 하고 본딩패드 금속의 접착력을 향상시키기 위한 열처리 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 광제어 공명투과 진동자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 장벽층(4a, 4b)은 비공명 투과전류를 줄이기 위해 장벽높이(barrier height)가 크고 터널링이 가능한 40Å두께의 도핑되지 않은 AlAs로 이루어지고, 장벽사이에 형성된 웰층(5)은 45Å두게의 도핑되지 않은 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 광제어 공명투과 진동자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 창층(8)은 표면에서의 빛의 흡수를 줄이고 입사한 대부분의 빛이 간격층에 흡수되어 양자효율 및 직렬저항의 변화를 극대화시킬 수 있도록 약 5000Å두께와 2×1018㎝-3의 고농도도핑된 큰 밴드갭을 갖는 Al0
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제 6 항에 있어서, 상기 이중장벽위에 형성된 제 3, 4 간격층(6, 7)은 빛조사에 의한 이중장벽에서의 전압강하를 더욱 크게하기 위하여 도핑되지 않은 500Å두께의 GaAs와 4×1017㎝-3로 도핑된 1000Å두께의 n형 GaAs로 각각 이루어진 것을 특징으로 하는 광제어 공명투과 진동자의 제조방법
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