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반도체장치의산화막형성방법

  • 기술번호 : KST2015074815
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고집적(VLSI)소자에 사용되는 절연막을 고압에서 산소기체 대신에 오존/산소 혼합기체와 자외선(UV : Ultra violet)을 사용하여 형성하는 절연막 형성방법에 관한 것으로서, 특히 종래의 절연막 형성 방법보다 급속한 성장속도를 얻거나 또는 양질의 절연막을 저온에서 형성할 수 있는 반도체 장치의 절연막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고압이 오존 분위기에서 산화막을 성장하는 것인데, 오존의 강한 산화력을 이용하여 플라즈마 방전과 같은 고에너지를 이용하지 않고도 저온에서 짧은 시간에 정공 트랩의 감소된 양질의 산화막을 성장할 수 있으며, 자외선(UV)조사에 으하여 더욱 낮은 온도에서 산화막 성장이 가능하게 되는 것이 특징이다. 오존의 발생은 오존발생기(ozonizer)에 산소를 유입(flow)시켜 오존(O3)과 산소(O2)의 비를 10% 정도로 하여 반응로에 주입시킨다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02238(2013.01) H01L 21/02238(2013.01) H01L 21/02238(2013.01) H01L 21/02238(2013.01)
출원번호/일자 1019940025178 (1994.09.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0012370 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전직할시유성구
2 박민 대한민국 대전직할시유성구
3 이중환 대한민국 대전직할시유성구
4 구진근 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114121-83
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114123-74
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114122-28
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114124-19
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114125-65
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0064055-43
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0064056-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 장치의 산화막 형성방법에 있어서, 상기 산화막을 오존의 강한 산화력을 이용한 고압의 오존산화방법(High Pressare Ozone Oxidation)에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 산화막 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 활성영역과 필드영역을 격리(isolation)하기 위한 필드(field)산화막이 새부리 형상(bird'beak)이 제거될 수 있도록 약 800℃의 저온에서, 산화력이 강한 고압의 오존 분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 한느 고압의 오존산화방법을 이용한 반도체 장치의 산화막 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 게이트 절연막이 채널영역이 불순물 재분포를 최대한 억제하여 짧은 채널효과(short channel effect)를 억제시키고, 절연막 중의 정공 트랩(trap)을 감소시키며 절연파괴 전압을 향상시킬 수 있도록 700℃의 저온에서 산화력이 강한 고압의 오존분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 고압의 오존산화방법을 이용한 반도체 장치의 산화막 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 산화막 성장속도를 가속시키며 더욱 낮은 온도에서 산화막을 성장시킬 수 있도록 고압의 오존산화방법에 병행하여 자외선(UV)조사를 부가한 방법으로 산화막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 산화막 형성방법

5
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.