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영구적인고분자그레이팅제조방법

  • 기술번호 : KST2015074841
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 광소자의 광집적회로(OIC, Optical Integrated Circuit)구성의 중요 인자중 하나인, 고분자 광도파로상에 미세 주기적 구조 즉, 그레이팅은 광의 주입(coupling in)과 광의 유도 방출(coupling out)등에 사용된다. 이러한 영구적인 고분자 그레이팅을 제조하는 방법으로써 두 빛의 간섭과 고분자 광소자 재료가 가지는 특이한 성질을 이용하였다. 빛의 보강 간섭 영역에서 비선형 광전자 유기물의 광산화가 일어남으로써 즉 광산화에 의한 고분자의 전자 분포가 파괴됨으로써 보강 간섭 영역에서 굴절률이 감소하게 되는 원리와 비선형 광전자 유기물의 분해, 승화 온도(Td)는 일반적으로 매트릭스인 고분자 매질 보다 훨씬 낮은 성질로 인하여 비선형 광전자 유기물은 분해, 승화되어 없어지며 이 영역에서의 굴절률은 매트릭스인 고분자 매질과 같게되는 원리를 이용하여 광소자용 영구적인 고분자 그레이팅을 제조하였다.
Int. CL G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02B 5/1857(2013.01)
출원번호/일자 1019940035055 (1994.12.19)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0168882-0000 (1998.10.08)
공개번호/일자 10-1996-0024484 (1996.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 대전시유성구
2 원용협 대한민국 대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전직할시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157836-50
2 출원심사청구서
Request for Examination
1994.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157838-41
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157837-06
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157839-97
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1997.09.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157840-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0087960-21
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.04.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157841-89
8 의견서
Written Opinion
1998.04.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0157842-24
9 등록사정서
Decision to grant
1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0087961-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

영구적인 고분자 그레이팅 제조방법에 있어서, 광원에서 발생된 광을 두 광으로 나누고, 각각의 광을 거울에 반사시킨 후에, 반사된 각각의 광을 고분자 광소자의 유기 고분자 상에 집중시켜 주기적으로 상쇄 간섭과 보강 간섭을 일으키도록 하는 제1단계; 및 보강 간섭이 일어나는 지역에서 비선형 광전자 유기물의 광산화가 발생하도록 함으로써, 광산화가 일어난 지역에서의 굴절율이 감소되도록 하여 상기 고분자 광소자가 주기적인 굴절률 변화를 가지도록 하는 제2단계를 포함하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 고분자 광소자의 유기 고분자는, 4-dimethylamino-4'-nitrostibene(DANS) 비선형 광전자 유기물을 polymethylmethaacrylate(PMMA) 고분자 매질에 50 대 50의 몰 분율로 공유 결합 시킨 옆사슬계 고분자인 것을 특징으로 하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 고분자 광소자의 유기 고분자는, 두 빔의 보강 간섭에 의한 광산화에 의해 고분자의 전자분포가 파괴됨으로써 굴절률이 감소하는 것을 특징으로 하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 고분자 광소자의 유기 고분자는, 기판에 소정의 두께로 스핀 코팅하여 열경화시켜 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

5 5

제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1단계는, 제1편파기는 상기 광원에서 방출된 광을 입사받아 편파시킨 후에 샤터로 입사시키는 제3단계; 상기 샤터는 상기 제1편파기로부터 입사받은 광의 세기를 조절한 후에, 제1거울에 입사시키는 제4단계; 상기 제1거울은 상기 샤터로부터 입사받은 광을 반사시켜 빔스플리터에 입사시키는 제5단계; 상기 빔스플리터는 입사받은 광을 두 광으로 나누어, 각각의 광을 제2편파기와 제3편파기에 입사시키는 제6단계; 및 상기 제2편파기와 상기 제3편파기는 입사받은 광을 평면 편파시킨 후에, 제2거울과 제3거울에 입사시키며, 상기 제2거울과 상기 제3거울은 입사된 광을 반사시켜 고분자 광소자의 유기 고분자상에 집중시키는 제7단계를 포함하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

6 6

영구적인 고분자 그레이팅 제조방법에 있어서, 광원에서 발생된 광을 두 광으로 나누고, 각각의 광을 거울에 반사시킨 후에, 반사된 각각의 광을 고분자 광소자의 유기 고분자 상에 집중시켜 주기적으로 상쇄 간섭과 보강 간섭을 일으키도록 하는 제1단계; 및 보강 간섭이 일어나는 지역에서 비선형 광전자 유기물이 분해, 승화되어 제거되도록 함으로써, 비선형 광전자 유기물이 분해, 승화되어 제거된 지역에서의 굴절률이 감소되도록 하여 상기 고분자 광소자가 주기적인 굴절률 변화를 가지도록 하는 제2단계를 포함하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 고분자 광소자의 유기 고분자는, Diethyl Amino Hexyl Sulfone Stilbene(DASS62)라는 비선형 광전자 유기물을 파장이 300-600nm에서 투명한 고분자 매질에 40 wt%로 단순 역학적으로 분산시킨 호스트-게스트계 고분자인 것을 특징으로 하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

8 8

제6항에 있어서, 상기 고분자 광소자의 유기 고분자는, 기판에 소정의 두께로 스핀 코팅하여 열경화시켜 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

9 9

제6항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1단계는, 제1편파기는 상기 광원에서 방출된 광을 입사받아 편파시킨 후에 샤터로 입사시키는 제3단계; 상기 샤터는 상기 제1편파기로부터 입사받은 광의 세기를 조절한 후에, 제1거울에 입사시키는 제4단계; 상기 제1거울은 상기 샤터로부터 입사받은 광을 반사시켜 빔스플리터에 입사시키는 제5단계; 상기 빔스플리터는 입사받은 광을 두 광으로 나누어, 각각의 광을 제2편파기와 제3편파기에 입사시키는 제6단계; 및 상기 제2편파기와 상기 제3편파기는 입사받은 광을 평면 편파시킨 후에, 제2거울과 제3거울에 입사시키며, 상기 제2거울과 상기 제3거울은 입사된 광을 반사시켜 고분자 광소자의 유기 고분자상에 집중시키는 제7단계를 포함하는 영구적인 고분자 그레이팅 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.