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엠.엠.아이.시용고용량커패시터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074869
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반고체 MMIC의 고용량 커패시터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 한정된 면적에 고용량 커패시터를 제조하기 위하여 전극층과 유전체 박막층을 교대로 5층 이상 적층하여 커패시터를 형성한다. 반도체 기판위에 복수의 금속전극층과 복수의 유전체 박막층을 차례로 적층함으로써 커패시터가 반도체 칩상에서 차지하는 면적을 종래보다 늘이지 않고 정전용량을 거의 2배로 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01G 4/306(2013.01) H01G 4/306(2013.01) H01G 4/306(2013.01) H01G 4/306(2013.01) H01G 4/306(2013.01)
출원번호/일자 1019940036026 (1994.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0026914 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재신 대한민국 경상남도울산시남구
2 박철순 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162304-01
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162302-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162303-55
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162305-46
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162306-92
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090258-69
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090259-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판상에 MMIC용 커패시터를 형성하는 방법에 있어서, 한정된 면적에 고용량 커패시터를 제조하기 위하여 전극층과 유전체 박막층을 교대로 5층 이상 적층하여 커패시터의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 전극재료로 Au, Ti, Pt, Ta, Al, Al-Si 합금, Cu 또는 Cu-Si 합금 중에서 한가지 또는 그 이상의 조합으로 두께가 2000~10000Å 되도록 하는 커패시터의 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 유전체재료로 산화실리콘, 질화실리콘, 산화탄탈륨, Pb(ZR, Ti)O3, BaTiO3, (Ba, Sr)Tio3 중의 한가지를 이용하여 박막의 두께가 1000~10000Å 되도록 하는 커패시터의 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상부전극층과 하부전극층을 연결하는 배선방법으로 유전체 박막층에 형성된 접속공을 이용하거나 직접 금속전극의 에어브릿지 형태로 되어 있는 커패시터의 형성방법

5
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.