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반도체소자의오믹접촉전극형성방법

  • 기술번호 : KST2015074870
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) 등의 전계효과형 반도체 소자 또는 이종접합 바이폴라 트랜지스터법은, 반절연 갈륨비소 기판(1) 상에 채널층(2)과 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 감광막의 패턴(3)을 형성하는 공정과; Ni, Ge, Au, Ti, Au 순서로 증착된 5층구조의 오믹금속층(4)을 그 위에 형성하는 공정과; 상기 감광막 패턴(3)을 제거하여 5층구조의 오믹금속층으로 된 소오스/드레인 전극을 형성하는 공정과; 그 위에 저온에서 증착한 2층 이상의 구조의 절연층으로 이루어진 오믹금속 보호막을 도포하는 공정과; 상기 오믹금속층을 상이한 온도에서 2단계로 열처리하는 공정과; 상기 오믹금속 보호막을 제거하는 공정과; 소정의 감광막 패턴을 그 위에 형성하여 게이트 영역을 정의하는 공정과; 금속막을 증착하여 상기 소정의 감광막 패턴을 마스크로 사용하여 T-형상의 게이트를 형성하는 공정을 포함한다. 이로써, 낮은 접촉저항의 특성을 얻을 수 있어 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/40 (2006.01)
CPC H01L 29/454(2013.01)
출원번호/일자 1019940036027 (1994.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0163741-0000 (1998.09.08)
공개번호/일자 10-1996-0026923 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형섭 대한민국 대전직할시유성구
2 이진희 대한민국 대전직할시유성구
3 양전욱 대한민국 대전직할시유성구
4 박철순 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162308-83
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162307-37
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162309-28
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162310-75
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162311-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090261-07
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162314-57
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162312-66
9 의견서
Written Opinion		 1998.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162313-12
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090262-42
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162315-03
12 의견서
Written Opinion		 1998.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162316-48
13 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090263-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 소자의 오믹접촉 전극의 형성방법에 있어서, 반절연 갈륨비소 기판(1) 상에 채널층(2)과 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 감광막의 패턴(3)을 형성하는 공정과; Ni, Ge, Au, Ti, Au 순서로 증착된 5층 구조의 오믹금속층(4)을 그 위에 형성하는 공정과; 상기 감광막 패턴(3)을 제거하여 5층 구조의 오믹금속층으로 된 소오스/드레인 전극을 형성하는 공정과; 그 위에 상기 증착된 오믹금속층이 열적으로 반응하지 않도록 ECR방법을 사용하여 30~50℃의 저온에서 적어도 두 개 이상의 층으로 이루어진 절연층인 오믹금속 보호막을 도포하는 공정과; 상기 오믹금속층을 상이한 온도에서 2단계로 열처리하는 공정과; 상기 오믹금속 보호막을 제거하는 공정과; 소정의 감광막 패턴을 그 위에 형성하여 게이트 영역을 정의하는 공정과; 금속막을 증착하여 상기 소정의 감광막 패턴을 마스크로 사용하여 T-형상의 게이트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹접촉 전극의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 오믹금속층(4)은 전자선 진공증착기에 의해 Ni를 100Å, Ge를 200Å, Au를 600Å, Ti를 50~80Å, Au를 2000Å 두께로 증착하여 Ni/ Ge/Au/Ti/Au로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹접촉 전극의 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 오믹금속 보호막은 산화막(9)과 질화막(SixOyNz)(10)으로 이루어진 이중 절연층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹접촉 전극의 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 오믹금속층을 질소와 아르곤 분위기의 350~370℃ 저온에서 20초 동안 열처리하고 동일한 챔버에서 질소 가스를 5분 동안 흘리면서 오믹금속층 시료를 다시 상온(25℃)으로 냉각한 다음에 다시 질소와 아르곤 분위기의 430~450℃ 고온에서 20초 동안 2단계로 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹접촉 전극의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.