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분리절연막을이용한공중교각금속의형성방법

  • 기술번호 : KST2015074871
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 특히 안정화된 공중교각(airbridge) 금속을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 공중교각(airbridge) 금속의 형성방법에 의하면, 기저금속이 화학적인 방법에 의해 증착된 분리절연막과 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 접촉된 기저금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면 방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 간락 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선간의 간격을 줄일 수 있다.또한, 공정을 안정화 시킴과 아울러 단순화 시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/40 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1019940036028 (1994.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0162757-0000 (1998.09.01)
공개번호/일자 10-1996-0026924 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양정욱 대한민국 대전직할시유성구
2 오응기 대한민국 대전직할시유성구
3 윤형섭 대한민국 대전직할시유성구
4 박철순 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162317-94
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162318-39
3 출원심사청구서
Request for Examination
1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162319-85
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162320-21
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162321-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090265-89
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162322-12
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1998.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162324-14
9 의견서
Written Opinion
1998.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162323-68
10 등록사정서
Decision to grant
1998.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090266-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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금속막 패턴이 형성된 기판 위에 포토레지스트 층을 증착하여 공중교각 영역을 1차 정의하여 하층 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정; 기판의 전면 위에 기저금속을 증착하고, 그 위에 분리 절연막을 도포하는 공정; 상기 분리 절연막의 상부에 포토레지스트를 도포하고 공중교각 영역을 2차로 정의하여 상층 레지스트 패턴을 형성하는 공정; 상기 상층 레지스트 패턴에 의해 노출된 분리 절연막을 식각하여 기저금속을 노출시키는 공정; 그 노출된 기저금속의 위에 공중교각 금속을 성장시키는 공정; 상기 상층 레지스트 패턴, 상기 분리 절연막을 제거하고, 노출된 부분의 기저금속과 상기 하층 레지스트 패턴을 차례로 제거하는 공정; 을 수행하여 측면 방향의 공중교각 금속성분의 성장을 배제하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 분리절연막을 이용한 공중교각 금속(airbridge-metal)의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.