[KST2015075234][한국전자통신연구원] |
홈 위에 다리를 갖는 반도체 장치의 제조방법 |
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[KST2015073538][한국전자통신연구원] |
금속열처리에의한고품위다결정실리콘박막형성방법 |
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[KST2015087935][한국전자통신연구원] |
금속 산화물 형성 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터 구조체 형성 방법 |
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[KST2015076952][한국전자통신연구원] |
다결정실리콘 산화법을 이용한 트렌치형 전력소자 제조 방법 |
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[KST2015075173][한국전자통신연구원] |
반도체 표면 평탄화 방법 |
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[KST2015084527][한국전자통신연구원] |
반도체 장치의 제조 방법 |
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[KST2015081945][한국전자통신연구원] |
절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 제조방법 |
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[KST2015100449][한국전자통신연구원] |
반도체기판상에SIO2막의형성방법 |
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[KST2015073416][한국전자통신연구원] |
비정질탄소지지막을이용한X-선리소그라피마스크의제조방법 |
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[KST2015073670][한국전자통신연구원] |
위상반전포토마스크형성방법 |
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[KST2015093209][한국전자통신연구원] |
급격한 금속-절연체 전이를 하는 절연체 및 그 제조방법,이를 이용한 소자 |
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[KST2019002948][한국전자통신연구원] |
반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
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[KST2015095779][한국전자통신연구원] |
급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법 |
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[KST2015087341][한국전자통신연구원] |
광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터 |
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[KST2016017501][한국전자통신연구원] |
유연 기판소자의 제조방법(Method of fabricating flexible substrate device) |
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[KST2015090823][한국전자통신연구원] |
절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
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[KST2015075800][한국전자통신연구원] |
대면적 산화물 박막용 레이저 증착 장치 |
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[KST2015095285][한국전자통신연구원] |
플라즈마에의한(SOG)경화방법 |
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[KST2015075345][한국전자통신연구원] |
산화아연 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법 |
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[KST2015099581][한국전자통신연구원] |
다공질실리콘기판을이용한다이아몬드박막의증착방법 |
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[KST2016016468][한국전자통신연구원] |
반도체 소자(Semiconductor device) |
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[KST2017014075][한국전자통신연구원] |
수직 핀 다이오드(VERTICAL PIN DIODE) |
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[KST2015063086][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2015079983][한국전자통신연구원] |
전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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[KST2015086930][한국전자통신연구원] |
금속 전극 제조 방법 |
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[KST2015079128][한국전자통신연구원] |
미세 구조물이 형성된 기판과 그 기판의 제조방법 |
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[KST2019001983][한국전자통신연구원] |
GaN 트랜지스터 제조 방법 |
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[KST2015074815][한국전자통신연구원] |
반도체장치의산화막형성방법 |
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[KST2015097634][한국전자통신연구원] |
변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자 |
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[KST2015100373][한국전자통신연구원] |
반도체소자제조용내열성금속질화물박막의제조방법 |
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