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자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조공정

  • 기술번호 : KST2015074959
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 베이스 전극을 선택적 금속 실리사이드 단결정 성장하여 저저항의 베이스 전극을 형성하고 에미터와 베이스가 자기 정렬되게 함으로써 베이스 기생저항을 크게 감소키킨 바이폴러 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조공정에 있어서, 실리콘 기판에 고농도의 불순물을 이온주입하여 서브렉터를 형성시키는 제 1 과정과, 컬렉터를 다결정 성장시키는 제 2 과정과, 소자격리를 위한 산화막을 형성시키는 제 3 과정과, 고농도의 불순물을 이온주입하여 컬렉터 싱커를 형성시키는 제 4 과정과, 베이스 박막을 형성시키는 제 5 과정과, 산화막과 질화막과 산화막을 도포하는 제 6 과정과, 산화막과 질화막과 산화막을 식각하는 제 7 과정과, 비활성 베이스 영역을 고농도의 붕소로 도핑함으로써 금속 실리사이드과의 오옴 저항을 작게 하는 제 8 과정과, 금속 실리사이드 박막을 선택적으로 단결정 성장시키는 제 9 과정과, 실리콘을 상기 금속 실리사이드 박막 위에 연속하여 단결정 성장시키는 제 10 과정과, 산화막을 식각하여 제거하고 단결정 성장된 실리콘을 저온에서 열산화하여 산화막을 형성시키는 제 11 과정과, 산화막을 도포하고 다시 식각하여 측벽막을 형성하는 제 12 과정과, 질화막과 산화막을 차례로 식각하여 측벽막을 완성하는 제 13 과정과, 에미터 전극인 다결정 실리콘을 도포하고 불순물을 첨가하는 제 14 과정과, 식각하여 에미터를 형성하는 제 15 과정과, 절역막을 전면에 도포하고 에미터 접합을 형성하기 위한 열처리를 행하는 제 16 과정과, 절연막을 식각하여 금속접촉 부분을 정의하는 제 17 과정 및 금속을 증착하고 식각하여 소자를 완성하는 제 18 과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 비활성 베이스로 금속 실리사이드 박막을 사용하기 때문에 소자의 기생 베이스 저항이 작으며, 에미터와 베이스를 자기정렬시킴으로써 재현성이 높고 소자의 크기를 줄여 집적도를 높일 수 있고, 비활성 베이스로 금속 실리사이드 박막을 단결정으로 성장시키기 때문에 금속 실리사이드(metal salicide) 형성공정에 의해 제조된 것보다 실리콘과 금속 실리사이드 계면의 고온반응에 의해 발생하는 계면 모양이 보다 더 평평하므로 계면 누설 전류가 작아지고, 계면의 면적이 작아지므로 베이스-걸렉터 접합용량도 또한 감소하게 되는 등 소자의 고주파 응답 특성이 우수하다는 데에 그 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66272(2013.01) H01L 29/66272(2013.01) H01L 29/66272(2013.01) H01L 29/66272(2013.01)
출원번호/일자 1019950055092 (1995.12.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0161197-0000 (1998.08.21)
공개번호/일자 10-1997-0052567 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수민 대한민국 대전광역시 유성구
2 한태현 대한민국 대전광역시 유성구
3 조덕호 대한민국 대전광역시 유성구
4 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0212414-66
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0212415-12
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0212416-57
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0212417-03
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0212418-48
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0112310-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조공정에 있어서, 실리콘 기판에 고농도의 불순물을 이온주입하여 서브컬렉터를 형성시키는 제 1 과정과, 컬렉터를 다결정 성장시키는 제 2 과정과; 소자격리를 위한 산화막을 형성시키는 제 3 과정과; 고농도의 불순물을 이온주입하여 컬렉터 싱커를 형성시키는 제 4 과정과; 베이스 박막을 형성시키는 제 5 과정과; 산화막과 질화막과 산화막을 도포하는 제 6 과정과; 산화막과 질화막과 산화막을 식각하는 제 7 과정과; 비활성 베이스 영역을 고농도의 붕소로 도핑함으로써 금속 실리사이드과의 오옴 저항을 작게 하는 제 8 과정과; 금속 실리사이드 박막을 선택적으로 단결정 성장시키는 제 9 과정과; 실리콘을 상기 금속 실리사이드 박막 위에 연속하여 단결정 성장시키는 제10 과정과; 산화막을 식각하여 제거하고 단결정 성장된 실리콘으로 저온에서 열산화하여 산화막을 형성시키는 제 11 과정과; 산화막을 도포하고 다시 식각하여 측벽막을 형성하는 제 12 과정과; 질화막과 산화막을 차례로 식각하여 측벽막을 완성하는 제 13 과정과; 에미터 전극인 다결정 실리콘을 도포하고 불순물을 첨가하는 제 14 과정과; 식각하여 에미터를 형성하는 제 15 과정과; 절역막을 전면에 도포하고 에미터 접합을 형성하기 위한 열처리를 행하는 제 16 과정과; 절연막을 식각하여 금속접촉 부분을 정의하는 제 17 과정; 및 금속을 증착하고 식각하여 소자를 완성하는 제 18 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조공정

2 2

자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조공정에 있어서, 산화막과 질화막과 산화막을 도포하고 식각하는 제 1 과정과; 금속 실리사이드 박막을 선택적으로 단결정 성장하는 제 2 과정과; 실리콘을 그 위에 연속하여 성장시키는 제 3 과정과; 산화막을 식각하여 제거하는 제 4 과정과; 단결정 성장된 실리콘을 저온에서 열산화하여 산화막을 형성하는 제 5 과정; 및 측벽막을 형성하는 제 6 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조공정

3 3

제2항에 있어서 실리콘 대신에 절연성 물질을 선택적으로 성장하여 제조하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조 공정

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.