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배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템 및 그를이용한커계수측정방법

  • 기술번호 : KST2015074975
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 커 계수를 측정할 배향된 고분자 박막의 양 면에 위치한 전극(11, 12); 커 계수 측정에 사용될 소정의 직류 전압(Vdc) 및 변조 전압(Vm)을 발생시켜, 이들을 믹싱한 측정 전원을 상기 전극에 인가하는 측정 전원 인가 수단(8 내지 10); 레이저를 사용하여, 상기 측정 전원이 양 면에 인가된 배향된 고분자 박막의 일반 및 특수 굴절률(n0, ne)과, 상기 배향된 고분자 박막에 의해 변조된 파형 세기(Im/Ic)를 측정하는 반사 변조 측정 수단(1 내지 8); 및 상기 반사 변조 측정 수단에 측정된 정보에 따라 커 계수를 계산하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템 및 그를 이용한 커 계수 측정 방법에 관한 것으로, 커 계수를 간단하고 정확하게 측정할 수 있도록 한 것이다.
Int. CL G02F 1/00 (2006.01)
CPC G02F 1/1309(2013.01) G02F 1/1309(2013.01) G02F 1/1309(2013.01)
출원번호/일자 1019950052147 (1995.12.19)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0150530-0000 (1998.06.15)
공개번호/일자 10-1997-0048697 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19981015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이형종 대한민국 대전광역시 유성구
3 한선규 대한민국 대전광역시 서구
4 김혜영 대한민국 대전광역시 유성구
5 원용협 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201805-57
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201807-48
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201806-03
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201808-94
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201809-39
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0106580-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

커 계수를 측정할 배향된 고분자 박막의 양 면에 위치한 전극(11, 12); 커 계수 측정에 사용될 소정의 직류 전압(Vdc) 및 변조 전압(Vm)을 발생시켜, 이들을 믹싱한 측정 전원을 상기 전극에 인가하는 측정 전원인가 수단(8 내지 10); 레이저를 사용하여, 상기 측정 전원이 양 면에 인가된 배향된 고분자 박막의 일반 및 특수 굴절률(n0, ne)과, 상기 배향된 고분자 박막에 의해 변조된 파형 세기(Im/Ic)를 측정하는 반사 변조 측정 수단(1 내지 8); 및 상기 반사 변조 측정 수단에 측정된 정보에 따라 커 계수를 계산하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템

2 2

제1항에 있어서, 상기 측정 전원 인가 수단은 소정의 직류 전압을 발생시키는 직류 전압 공급원(9); 소정의 변조 전압을 발생시키는 파형 발생기(8); 상기 직류 전압 공급원에서 발생된 직류 전압과 상기 파형 발생기에서 발생된 변조 전압을 믹싱하여 상기 배향된 고분자 박막의 양면에 위치한 전극에 인가하는 믹서(10)를 구비하는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템

3 3

제2항에 있어서, 상기 전압 공급 수단의 변조 전압은 1khz의 변조 주파수를 가지는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템

4 4

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연산 수단은

5

제 4항에 있어서, 상기 연산 수단은

6

배향된 고분자 박막의 커 계수 특정 시스템을 이용한 커 계수 측정 방법에 있어서, 배향된 고분자 박막의 굴절률(no, ne)을 측정하는 제1단계; 측정에 사용된 일련의 상기 직류 전압(Vdc)의 제곱 값과 상기 변조된 광의 세기(Im/Ic)의 관계를 측정하여 그 기울기를 결정하는 제 2단계를 포함하며, 상기 제 1단계 및 제2단계의 결과와 수식

7

제6항에 있어서, 상기 제1단계에서 상기 배향된 고분자 박막의 굴절률(no, ne)은 레이저를 사용한 프리즘 커플러 방식으로 측정되는 것을 특징으로 하는 배향된 고분자 박막의 커 계수 측정 시스템을 이용한 커 계수 측정 방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 레이저는 1

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패밀리정보가 없습니다
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