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고속구동을위하여임피던스정합이용이한전극패드를갖는폴리머전기광학소자및그제조방법_

  • 기술번호 : KST2015074998
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적 광확소자가 형성되는 기판(1); 상기 기판(1)상에 형성되는 하부 금속층(2); 상기 하부 금속층(2) 상에 광도파로가 형성된 폴리머 다층 박막(3); 상기 폴리머 다층 박막(3) 상의 패드영역에 형성되는 유전상수가 큰 패드용 폴리머층(4); 상기 폴리머 다층 박막(3) 상에 형성되되 광도파로 영역을 따라 형성된 좁은 마이크로고스트립 라인과, 상기 좁은 마이크로스트립 라인과 연결되어 상기 패드용 폴리머층(4) 상에서 형성된 넓은 마이크로스트립 라인을 갖는 상부 금속층(5)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기광학소자의 전극패드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/02 (2006.01)
CPC H01L 31/0224(2013.01) H01L 31/0224(2013.01)
출원번호/일자 1019950053176 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0204055-0000 (1999.03.25)
공개번호/일자 10-1997-0054566 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김혜영 대한민국 대전광역시 유성구
2 한선규 대한민국 대전광역시 서구
3 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
4 이형종 대한민국 대전광역시 유성구
5 원용협 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0205582-53
2 출원심사청구서
Request for Examination
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0205583-09
3 특허출원서
Patent Application
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0205581-18
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1995-0205584-44
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1997.09.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0205585-90
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0108606-56
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1998.10.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0750380-76
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1998.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0754967-59
9 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
1998.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0477957-10
10 의견서
Written Opinion
1998.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0758611-15
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0758610-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 등록사정서
Decision to grant
1999.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0012770-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

폴리머전기광학소자에 있어서, 전기적 광학소자가 형성되는 기판; 상기 기판 전면에 균일한 두께로 형성되는 하부금속층; 상기 하부금속층 상에 형성되어 소자영역에서 광도파로를 형성하는 폴리머다층박막; 전극패드가 형성될 영역의 상기 폴리머다층박막 상에 형성되며, 상기 폴리머다층박막의 폴리머보다 유전상부가 큰 패드용 폴리머층; 및 상기 폴리머다층박막 상에서 상기 광도파로 영역을 따라 형성된 그 폭이 상대적으로 좁은 제1마이크로스트립 라인과, 상기 제1마이크로스트립 라인과 연결되어 상기 패드용 폴리머층 상에 형성된 상대적으로 넓은 제2마이크로스트립라인을 형성하는 상부금속층을 포함하여 이루어진 폴리머전기광학소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 패드용 폴리머층은 상기 전극패드영역으로 갈수록 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 폴리머전기광학소자

3 3

폴리머전기광학소자 제조방법에 있어서, 전기적 광학소자가 형성될 기판 전면에 균일한 두께로 하부금속층을 형성하는단계; 상기 하부금속층 상에 소자영역에서 광도파로를 이루는 폴리머다층박막을 형성하는 단계; 전극패드 영역의 상기 폴리머다층박막 상에 상기 폴리머다층박막의 폴리머보다 유전상부가 큰 패드용 폴리머층을 형성하는 단계; 및 상기 폴리머다층박막 및 상기 패드용 폴리머층에 걸쳐 형성하되, 상기 폴리머다층 박막 상에는 광도파로 영역을 따라 좁은 마이크로스트립 라인을 이루고, 상기 좁은 마이크로스트립 라인과 연결되어 상기 패드용 폴리머층 상에서 넓은 마이크로스트립 라인을 이루는 상부금속층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 폴리머전기광학소자 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 패드용 폴리머층은 상기 소자영역에서 상기 전극패드 영역으로 갈수록 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머전기광학소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.