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필드에미션어레이의팁제조방법

  • 기술번호 : KST2015075021
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 필드 에미션 어레이(FEA)의 팁 제조방법에 관한 것으로서, 종래 기술의 대면적 웨이퍼에서 균일하고 작게 팁 패터닝을 하기 어려웠던 문제점을 해결하기 위해 종래의 팁을 패턴하는 마스크를 대신하여 종방향(칼럼) 마스크와 횡방향(로우) 마스크를 사용하여 각각 측벽을 써서 실리콘 식각을 위한 에치 마스크층을 형성한 후 팁을 제조하는 것이다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1019950045013 (1995.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0174877-0000 (1998.11.06)
공개번호/일자 10-1997-0030093 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진호 대한민국 대전광역시유성구
2 강성원 대한민국 대전광역시유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0176986-14
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0176987-60
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0176988-16
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0176989-51
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0176990-08
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0467029-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 기판위에 열산화막 및 질화막을 소정 두께로 증착시킨 후 그 위에 제1산화막 띠를 종방향으로 길게 형성하고 이 제1산화막띠의 양측면에 제1측벽을 형성하는 공정과, 상기 제1산화막띠를 식각하고 상기 제1측벽을 마스킹층으로 하여 상기 열산화막 및 질화막의 노출된 부분을 제거하는 공정과, 상기 열산화막 및 질화막이 종방향으로 길게 형성된 반도체 기판위에 제2산화막띠를 횡방향으로 길게 형성하고 이 제2산화막띠의 양측면에 제2측벽을 형성하는 공정과, 상기 제2산화막 띠를 식각하고 상기 제2측벽을 마스킹층으로 하여 상기 띠 모양의 열산화막 및 질화막의 노출된 부분을 제거하여 팁마스크를 형성하는 공정과, 상기 팁마스크를 마스킹층으로 하여 상기 반도체 기판을 식각하여 팁 형태를 형성하는 공정과, 상기 팁 형태의 표면에 열산화막을 형성하고 상기 반도체기판의 상부와 상기 질화막의 상부에 산화막을 증착하는 공정과, 상기 산화막의 상부에 게이트금속층을 형성하는 공정과, 상기 팁 형태의 상부에 적층된 팁마스크와 산화막을 제거하여 원뿔 형태의 팁을 형성함과 동시에 상기 게이트금속층이 오버 행되도록 상기 반도체기판 상부의 산화막을 측방향으로 식각하는 공정을 구비하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 열산화막을 10∼50nm의 두께로 형성하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 질화막을 100∼500nm의 두께로 형성하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2산화막 띠를 500∼1000nm의 두께로 형성하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2측벽을 폴리실리콘으로 형성하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 팁 형태를 습식 또는 건식 식각하여 형성하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 산화막을 측면이 경사지도록 형성하는 필드 에미션 어레이의 팁 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.