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단결정기판과, 상기 단결정기판 상의 일측에 분기선 방식의 4각형 3dB 결합기와 결합기의 분기선과 정합망으로 연결된 제1, 제4포트와 및 제1, 제2 정합망으로 이루어진 제1 3-dB 결합기와, 상기 단결정기판 상의 타측에도 분기선 방식의 4각형 3-dB 결합기와 결합기의 분기선 및 제3, 제4 정합망을 연결시킨 제2, 제3 포트로 이루어진 제2 3-dB 결합기와, 상기 제1결합기와 제2결합기 사이에 정합망으로 연결시킨 평행결합선 방식으로 제조된 제1 및 제2 2-극 대역통과 여파기 2개와, 상기 단결정기판의 하부 표면에 이중 금속막으로 형성된 접지평면을 포함하는 마이크로파용 고온초전도 듀플렉서
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제1항에 있어서, 상기 단결정기판이 MgO로 형성된 마이크로파용 고온초전도 듀플렉서
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 3-dB 직각 결합기와 제1 및 제2 2-극 대역통과 여파기가 YBa2Cu3O7-δ 에피택셜 박막으로 제조된 마이크로파용 고온초전도 듀플렉서
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제1항에 있어서, 상기 2개의 3-dB 직각 결합기와 2-극 대역통과 여파기를 분기선과 정합망으로 연결시키는 마이크로파용 고온초전도 듀플렉서
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단결정기판의 상부에 고온초전도 박막을 증착하고, 열처리하여 에피택셜 박막을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜 박막의 상부를 세정하고 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 패터닝하여 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 에피택셜 박막의 노출된 부분을 제거하여 고온초전도 회로(듀플렉서)패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 제거하는 공정과, 상기 단결정기판의 하부 표면에 전자선 증발기를 사용하여 이중 박막으로 이루어진 접지평면을 형성하는 공정을 통하여 마이크로파용 고온초전도 듀플렉서를 제조하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 고온초전도 회로 패턴을, 초산류의 식각 용해(EDTA)으로 3분 정도 식각하는 제1단계와, 상기 1단계 식각 후 ECR-이온 밀링을 5분 정도 행하여 잔류하는 물질을 제거하는 제2단계로써 소자를 제조하는 마이크로파용 고온초전도 듀플렉서의 제조방법
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