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반도체격자도파로구조및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015075045
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 격자 도파로 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 광결합 손실을 작게 하는 반도체 격자 도파로 제조방법은, 기판 위에 코어층과 클레드층을 결정 성장시킨다. 이 결과물 위에 SiNx 또는 SiO2 유전체를 전면에 증착한 후 리소그래피 공정으로 격자 형성 부위를 개구한다. 이 개구된 부위에 도파로 진행방향과 평행하게 격자 패턴을 형성시킨 후, 그 격자 형성 부위의 상기 클레드층과 상기 코어층을 식각한다. 이후에 상부 클레드층을 결정성장시켜 제작을 완료한다. 따라서, 본 발명은 다양한 구조의 광집적화 회로에 적용이 수월하고 높은 광결합 효율을 얻을 수 있어 저가격의 광모듈을 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01)
CPC H01S 5/0268(2013.01)
출원번호/일자 1019950042600 (1995.11.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0194584-0000 (1999.02.10)
공개번호/일자 10-1997-0030936 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오광룡 대한민국 대전광역시유성구
2 안주헌 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168511-19
2 특허출원서
Patent Application		 1995.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168509-27
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168510-74
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168512-65
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168513-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0089082-30
7 의견서
Written Opinion		 1998.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0749606-75
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0749603-38
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0749610-58
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0474848-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광결합 손실을 작게 하는 반도체 격자 도파로 제조방법에 있어서, 기판위에 코어층과 클레드층을 결정 성장시키는 제1과정과; 상기 제1과정과 결과물 위에 SiNx 또는 SiO2 유전체를 전면에 증착한 후 리소그래피 공정으로 격자 형성 부위를 개구하는 제2과정과; 상기 개구된 부위에 도파로 진행방향과 평행하게 격자 패턴을 형성시키는 제3과정과; 상기에서 만들어진 격자 형성 부위의 상기 클레드층과 상기 코어층을 식각하는 제4과정; 및 상기 제4과정 이후에 상부 클레드층을 결정 성장시켜 제작을 완료하는 제5과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 격자 도파로 제조방법

2 2

광섬유와의 광결합 효율을 최대화할 수 있는 매립형 반도체 격자 도파로 구조에 있어서, 도파로의 코어층 부분이 광도파로 소자의 폭보다 넓은 폭에 걸쳐서 광도파로 소자 폭보다 짧은 주기를 갖는 격자 형태로 도파로 방향에 평행하게 형성되어 도파 모드의 크기를 크게하여 광섬유와의 결합효율을 크게 하는 것을 특징으로 하는 매립형 반도체 격자 도파로 구조

3 3

제2항에 있어서, 상기 격자가 상기 도파로의 상기 코어층에 0

4 4

제2항에 있어서, 상기 격자가 있는 도파로 부분과 접하는 일반 도파로 부분의 폭을 점차적으로 좁게하여 광결합 효율을 향상시킨 것을 특징으로 하는 매립형 반도체 격자 도파로 구조

5 5

제2항에 있어서, 상기 격자가 있는 전체 도파로의 폭을 단면 쪽으로 가면서 점차로 줄어들게하여 광결합 효율을 향상시킨 것을 특징으로 하는 매립형 반도체 격자 도파로 구조

6 6

제2항에 있어서, 상기 격자가 있는 도파로 부분과 접하는 일반 도파로 부분의 폭을 점차적으로 좁게 하며; 또한 상기 격자가 있는 전체 도파로의 폭을 단면 쪽으로 가면서 점차로 줄어들게 하여 광결합 효율을 향상시킨 것을 특징으로 하는 매립형 반도체 격자 도파로 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.