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부저항출력특성을개선한이종접합바이폴러트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015075055
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에미터 층을 형성하는 반도체 재료의 화학적 구성 성분비를 변화시킴으로써 부저항 출력특성을 감소시키거나 소멸시키도록 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor, 이하 HBT라고 약칭함)의 구조에 관한 것으로서, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 위에 형성된 컬렉터부와, 상기 컬렉터부 위에 형성된 베이스부와, 상기 베이스부 위에 형성된 에미터부와, 상기 에미터부 위에 형성된 보호층 부로 구성된 이종접합 바이폴러 트랜지스터에 있어서, 상기 에미터부와 베이스층 사이에 AlxGa1 -xAs로 형성되며, 상기 X를 0부터 0.3까지 변화시키는 제 1에미터 그레이딩층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01)
출원번호/일자 1019950042602 (1995.11.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198455-0000 (1999.03.02)
공개번호/일자 10-1997-0030870 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 대전광역시서구
2 박문평 대한민국 대전광역시유성구
3 송기문 대한민국 서울특별시서초구
4 박성호 대한민국 대전광역시유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168520-20
2 특허출원서
Patent Application		 1995.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168519-84
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168521-76
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168522-11
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0168523-67
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0089087-68
7 의견서
Written Opinion		 1998.10.26 수리 (Accepted) 1-1-1995-0751061-95
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.10.26 수리 (Accepted) 1-1-1995-0751033-16
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.10.26 수리 (Accepted) 1-1-1995-0751097-27
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0481775-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

부저항 출력특성을 개선하기 위하여 반절연성의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 위에 형성된 컬렉터부와, 상기 컬렉터부 위에 형성된 베이스부와, 상기 베이스부 위에 형성된 에미터부와, 상기 에미터부 위에 형성된 보호층 부로 구성된 이종접합 바이폴러 트랜지스터에 있어서, 상기 에미터부와 베이스층사이에, AlxGa1 -xAs로 형성되며, 상기 X를 0부터 0

2 2

제1항에 있어서, 상기 에미터부가 소정의 도핑 농도로 일정하게 도핑되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터

3 3

제2항에 있어서, 상기 에미터부가 도핑 농도가 2×1017㎝-3 내지 2×1019㎝-3인 것을 특정으로 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터

4 4

제1항에 있어서, 상기 에미터부의 두께가 200nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터

5 5

제1항에 있어서, 상기 제1에미터 그레이딩의 두께가 30nm 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터

6 6

제1항에 있어서, 상기 에미터의 두께가 100nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터

7 7

제1항에 있어서, 상기 제2에미터 그레이딩의 두께가 30nm 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴러 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.