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제 1도전형 GaAs의 반도체 기판 상에 제 1도전형의 제 1거울층, 불순물이 도핑되지 않은 제 1공간층, 불순물이 도핑되지 않은 이득층, 불순물이 도핑되지 않은 제 2공간층, 제 2도전형의 불순물이 도핑된 제 2거울층 및 제 2도전형의 불순물이 도핑된 캡층을 순차적으로 결정성장방법으로 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 소정 부분에 격자빈자리가 적은 제 1보호층을 형성하는 공정과, 상기 제 1보호층의 상부에 식각용 마스크로 포토레지스터를 형성하고 상기 제 2공간층이 노출되도록 상기 캡층 및 상기 제2거울층을 건식식각 방법으로 제거하여 레이저기둥을 형성하고 포토레지스트를 제거하는 공정과, 상술한 구조의 상부와 상기 반도체기판의 하부표면에 격자 빈자리가 많은 제2보호층을 형성하고 급속열처리하여 상기 레이저기둥 주위의 이득층과 제1 및 제 2공간층이 상호 확산되어 블로킹 영역을 형성하되, 그 블로킹 영역의 에너지 갭을 이득층에 비해 높게 하면서 이득층과 블로킹 영역 사이의 계면에 결합이 발생하지 않으면서 캐리어의 확산을 막을 수 있도록 하기 위한 블로킹영역을 형성하는 공정과, 상기 레이저기둥 상부에 형성된 제1 및 제 2보호층을 제거하고 노출된 캡층의 표면에 상부전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 하부의 제 2보호층을 제거하고 노출된 반도체기판 하부 표면의 소정 부분에 하부전극을 형성하는 공정을 구비하는 표면방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 결정 성장 방법이 MBE 또는 MOCVD인 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 거울층을 AlAs/GaAs가 각각 20∼30쌍과 15∼20쌍 적층되도록 형성하는 표면방출 반도체레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 1및 제 2공간층을 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs 또는 GaAs로 형성하는 표면방출 반도체레이저의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제 1및 제 2공간층을 500∼3500Å의 두께로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 이득층을 불순물이 도핑되지 않은 InGaAs로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 이득층을 80 ∼ 200Å의 두께로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 캡층을 불순물이 고농도로 도핑된 GaAs로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 캡층을 500 ∼ 1500Å의 두께로 형성하는 표면방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 1 보호층을 리프트-오프(lift-off)으로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제 1보호층을 격자빈자리(vacancy)가 적은 SrF2, CaF2 또는 SiNX으로 형성하는 표면방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 캡층 및 상기 제2거울층을 반응성 이온식각하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제 2보호층을 격자빈자리가 많은 SiOX 또는 SiNX으로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 제 2 보호층을 0,1 ∼ 19의 두께로 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 급속 열처리를 650 ∼ 950℃의 온도에서 5초~5분 동안 수행하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 하부전극을 상기 레이저기둥과 중첩되지 않게 형성하는 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법
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