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도파로형 광부품의 제조장치로서 가열부의 열효율 및 생산성을 최대화하도록 수직형의 석영튜브를 가열수단으로 하는 고온 저밀화 수직형 전기로와; 상기 수직형 전기로내의 기판장착부의 정확한 온도를 측정하기 위하여 외부의 Pyrometer와 Thermo-Couple이 결합된 Dummy Wafer에 의한 2중제어기능을 갖는 온도조절수단과; 유량조절기(MGC)(29), 바이패스밸브, 혼합배관으로 배관 라인이 구성되고 모든 가스의 인입은 Manifold(33)을 통하여 인입되도록 하는 가스라인과; 로의 상부에는 진공배기라인, Pyrometer(8), 고밀화감지기(14), 미립자 여과기(15) 등으로 구성된 진공배기부를 구성요소로 하여 저온 화염가수분해증착법의 실리카 미립자를 1000∼1100℃의 저온에서 실리카막에 잔류응력을 억제하고 평탄성이 높고 복굴절이 낮은 실리카막형성을 위한 실리카 미립자의 저온 고밀화 장치
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제1항에 있어서, 가스라인의 혼합배관은 고압 가스인 헬륨과 산소가 배관에 혼합성을 높힌 구성으로 0
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제1항에 있어서, 수직형 전기로의 가열수단은 석영관을 튜브로 사용하고 열원은 슈퍼칸탈(6)을 이용함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 장치
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도파로형 광부품을 제조하기 위하여 온도조절수단, 가스라인, 진공배기구를 구비하고 수직형의 석영튜브를 가열수단으로 하는 고온 저밀화 수직형 전기로에 의하여 저온 화염가수분해 증착법의 실리카 미립자를 1000∼1100℃의 저온에서 실리카막에 잔류응력을 억제하고 평탄성이 높고 복굴절이 낮은 실리카막을 형성하도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 상기 저온 고밀화 수직형 전기로의 기판장착부에 공정후 고순도 N2가스를 고속으로 인입하여 실리카 기판을 급속냉각시켜 결정생성을 억제하도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 상기 저온 고밀화 수직형 전기로의 상부에 미립자의 고밀화 완료시점을 확인하기 위하여 레이저를 조사하고 반사된 광의 세기를 감지하여 정밀한 온도를 제어시키도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 상기 저온 고밀화 수직형 전기로의 상부 진공배관부에 Gate Valve와 미립자 여과기를 구성하여 펌프의 마모와 불순물 유입을 차단시키도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 상기 저온 고밀화 수직형 전기로의 상부 진공배관부에 스크러버로 바이패스되는 라인을 구성하여 유사시 전기로의 독성가스를 배출시키도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 고밀화 공정방법중 OH기의 탈수소를 위하여 수소와 반응성이 우수한 BCl3와 헬륨을 사용하여 750∼850℃의 온도에서 15∼30분간의 공정으로 탈수소시키도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 고밀화 공정방법중 수소와 반응성이 우수한 BCl3와 헬륨을 사용하여 750∼850℃의 온도에서 15∼30분간의 공정으로 막내의 GeO2, B2O3, P2O5등의 첨가산화물의 안정화 우선적인 녹임공정을 유도함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 고밀화 공정방법중 저온 고밀화 주공정으로 탈수소반응후에 동일한 로에서 온도를 1000∼1100℃로 조절하여 헬륨과 산소 분위기에서 주조성인 SiO2와 고밀화된 다른 산화물과의 원활한 혼합을 1∼2시간 유지시켜 막의 버블형성을 억제하고 질량이 가벼운 P,B,Ge의 탈착을 Capping하여 안정하고 균질한 실리카막형성을 도모하도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제4항에 있어서, 고밀화 공정방법중 Annealing공정으로 헬륨과 산소분위기에서 950∼1000℃로 5∼10시간 가열하여 실리카막을 안정화시키고 열처리 과정에서 발생된 잔류응력을 제거하도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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제12항에 있어서, 상기 Annealing공정중 헬륨과 산소분위기에서 950∼1000℃로 5∼10시간 가열한 후 가습분위기에서 실리카막을 안정화시키고 반응부산물을 효과적으로 제거시키도록 함을 특징으로 하는 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정
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