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n+형 InP 반도체 기판 위에 n+형 InP의 버퍼층, n형 InAlAs 제1필드버퍼층, 도핑하지 않은 초고순도의 장벽층과 우물층으로 이루어진 초격자 증폭층, p-형 InAlAs의 제2필드버퍼층, p-형 InGaAs층과 불순물이 도핑되지 않은 InGaAs으로 이루어진 p-형 InGaAs의 광흡수층, p형 InP의 버퍼층 및 p-형 InGaAs의 오믹접촉층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 오믹접촉층의 상부에 제1표면보호막을 형성하고 열처리하는 공정과, 상기 제1표면보호막의 소정 부분을 상기 오믹접촉층이 노출되도록 제거하고 상기 남는 제1표면보호막을 마스크로 이용하여 상기 오믹접촉층부터 상기 버퍼층 까지 상기 반도체 기판이 노출되도록 메사 식각하는 공정과, 상기 제1표면보호막을 제거하고 상술한 구조의 전 표면에 제2표면보호막을 형성하고 상기 반도체 기판과 오믹접촉층 상부의 제2표면보호막을 제거하는 공정과, 상기 노출된 반도체 기판과 오믹접촉층의 표면에 N형 및 P형의 금속전극을 형성하는 공정과, 상기 N형 및 P형의 금속전극을 덮는 제3표면보호막을 형성하는 공정을 구비하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 우물층을 InGaAs, InAlGaAs 또는 InGaAsP로 형성하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 우물층 50∼200Å 정도의 두께로 형성하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 장벽층을 50∼300Å 정도의 두께로 InAlAs로 형성하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 광흡수층을 p-형 InGaAs층과 불순물이 도핑되지 않은 InGaAs층이 각기 50∼100Å 정도와 500∼1000Å 정도의 두께로 서로 교대로 적층되도록 형성하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 p-형 InGaAs층을 Zn 또는 Be의 불순물을 5×1016 cm-3의 농도로 도핑하여 형성하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 결정 성장을 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition), LPE(Liquid Phase Epitaxy), MBE(Molecular Beam Epitaxy)의 방법으로 수행하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리를 500∼700℃의 온도와 수도 또는 수소+질소분위기에서 실시하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 열처리를 1분∼10시간 정도 실시하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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n+형 InP 반도체 기판 위에 n+형 InP의 버퍼층, n형 InAlAs 제1필드버퍼층, 도핑하지 않은 초고순도의 장벽층과 우물층으로 이루어진 초격자 증폭층, p-형 InAlAs 제2필드버퍼층, p-형 InGaAs층과 불순물이 도핑되지 않은 InGaAs으로 이루어진 p-형 InGaAs의 광흡수층을 순차적으로 1차 결정 성장하고 열처리하는 공정과, 상기 광흡수층의 상부에 p형 InP의 버퍼층 및 p형 InGaAs의 오믹접촉층을 순차적으로 2차 결정 성장하는 공정과, 상기 오믹접촉층의 상부에 제1표면보호막을 형성하고 상기 제1표면보호막의 소정 부분을 상기 오믹접촉층이 노출되도록 제거하고 상기 남는 제1표면보호막을 마스크로 이용하여 상기 오믹접촉층부터 상기 버퍼층 까지 상기 반도체 기판이 노출되도록 메사 식각하는 공정과, 상기 제1표면보호막을 제거하고 상술한 구조의 전 표면에 제2표면보호막을 형성하고 상기 반도체 기판과 오믹접촉층 상부의 제2표면보호막을 제거하는 공정과, 상기 노출된 반도체 기판과 오믹접촉층의 표면에 N형 및 P형의 금속전극을 형성하는 공정과, 상기 N형 P형의 금속전극을 덮는 제3표면보호막을 형성하는 공정을 구비하는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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