제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 소정 부분에 소정 거리 이격되어 길이 방향으로 길게 형성되어 반절연성을 갖는 전류차단영역과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층 상부에 상기 전류차단영역과 대응하도록 길이 방향으로 길게 형성된 그루브 사이에 소정 폭을 갖는 릿지를 포함하는 제2 도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제1 및 제2도전형 전극을 포함하는 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드

제1항에 있어서, 상기 전류차단층은 Si, Zn, Be 또는 플로톤(Proton : H3) 의 불순물이 이온 주입하여 형성된 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드

제1도전형의 반도체 기판 상에 제1도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1광도파로층, 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2광도파로층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 오믹접촉층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 오믹접촉층의 상부의 소정 부분에 소정 폭을 가지는 마스크 패턴을 길이 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 제2광도파로층이 노출되도록 오믹접촉층 및 제2클래드층을 식각하여 그루브를 형성하고 리지를 한정하는 공정과, 상기 그루브 하부의 활성층에 이온 주입하여 전류차단영역을 형성하는 공정과, 상기 마스크를 제거하고 전술한 구조의 전 표면에 절연층을 형성하고 포토리소그래피 방법으로 상기 릿지 상부의 오믹접촉층을 노출시키는 공정과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 오믹접촉층의 노출된 부분에 1 및 제2전극을 형성하는 공정을 구비하는 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드의 제조방법

제3항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 SiO2 또는 Si3NX 으로 형성하는 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드의 제조방법

제3항에 있어서, 전류차단층을 Si, Zn, Be 또는 플로톤을 이온 주입하여 형성하는 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드의 제조방법