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화합물반도체소자의격리방법

  • 기술번호 : KST2015075114
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반절연막의 재성장 방법을 이용하여 반도체 소자를 격리(isolation) 시킴으로써 소자의 격리 특성을 향상시킬 수 있는 격리방법이 개시되어 있다.본 발명은 화합물 반도체 기판상에 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 쇼트키층 및 오믹층을 순차적으로 성장시키는 공정과, 상기 결과물상에 활성영역을 정의하기 위한 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 소정부위까지 각 층들을 차례로 식각하여 수직한 식각단면을 얻는 공정과, 상기 정의된 격리영역과 활성영역과의 단차를 평탄화시킴과 아울러 식각된 활성영역 측면부위의 누설전류 경로를 차단시킬 수 있도록 상기 식각된 격리영역에 반절연막을 선택적으로 재성장시키는 공정과, 상기 마스크 패턴을 제거한 후 소스 및 드레인 영역에 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 활성영역의 쇼트키층의 일부를 노출시킨 후 노출된 쇼트키층과의 접속을 위한 게이트 전극과 상기 오믹 금속층과의 접속을 위한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정으로 구성된다.
Int. CL H01L 29/40 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950040297 (1995.11.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0174879-0000 (1998.11.06)
공개번호/일자 10-1997-0030872 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형섭 대한민국 대전광역시유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시유성구
3 오대곤 대한민국 대전광역시유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160162-02
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160163-47
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160164-93
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160165-38
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160166-84
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.05.01 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160167-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0084801-01
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.10.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160168-75
9 의견서
Written Opinion		 1998.10.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160169-10
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0467870-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체 기판상에 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 쇼트키층 및 오믹층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 결과물상에 활성영역을 정의하기 위한 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 소정부위까지 각 층들을 차례로 식각하여 수직한 식각 단면을 얻는 단계; 상기 정의된 격리영역과 활성영역과의 단차를 평탄화시킴과 아울러 식각된 활성영역 측면부위의 누설전류 경로를 차단시킬 수 있도록 상기 식각된 격리영역에 반절연막을 선택적으로 재성장시키는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거한 후 소스 및 드레인 영역에 오믹 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 활성영역의 쇼트키층의 일부를 노출시킨 후 노출된 쇼트키층과의 접속을 위한 게이트 전극과 상기 오믹 금속층과의 접속을 위한 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어진 전계효과형 화합물 반도체 소자의 격리방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 활성영역을 한정하기 위한 마스크 패턴은 수직한 식각 단면 프로파일을 얻을 수 있도록 산화막과 질화막으로 적층된 이중 절연막 패턴으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물 반도체 소자의 격리방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 격리영역에 반절연막을 선택적으로 성장하여 활성영역과 격리영역을 평탄화시킨 다음 반절연막 위에 또 다른 반도체 레이저 또는 이종접합형 트랜지스터를 집적시키는 것을 특징으로 하는 전계효과형 화합물 반도체 소자의 격리방법

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1 US05702975 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US5702975 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.