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서로 다른 조성물로 이루어진 두개으 반도체를 접합시켜 형성된 구조의2차원 전자가스층을 전자통로로 이용하고, 세개 이상의 수십 nm의 게이트 길이르 갖는 분리 게이트를 나란히 배열하고, 그 분리 게이트 사이에 양자점을 형성시키고 그 크기를 조절하기 위한 또다른 분리 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 접합되는두개의 반도체를 각각 구성하는 조성물이 A1GaAs와 GaAs인것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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서로 다른 조성물로 이루어진 두개의 반도체를 접합시켜 형성된 구조의 2차원 전자가스층을 전자통로로 이용하고,세개 이상의 수십 nm의 게이트 길이를 갖는 분리 게이트를 나란히 배열하고, 그 분리 게이트 사이의 거리가 다르며, 그 분리 게이트 사이에 양자점을 형성시키고 그 크기를 조절하기 위한 또다른 분리게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 접합되는 두개의 반도체를 각각 구성하는 조성물이 A1GaAs와 GaAs인것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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서로 다른 조성물로 이루어진 두개의 반도체를 접합시켜 형성된 구조의 2차원 전자가스층을 전자통로로 이용하고, 세개 이상의 수십 nm의 게이트 길이를 갖는 분리 게이트를 나란히 배열하고, 그 분리 게이트 사이의 거리가 다르며, 세번째 분리게이트에 의한 포텐샬 장벽으 높이가 다른 두개의 높이보다 낮게하고, 그 분리 게이트들 사이에 양자점을 형성시키고 그 크기를 조절하기 위한 또다른 분리 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 접합되는 두개의 반도체를 각각 구성하는 조성물이 A1GaAs와 GaAs인 것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트래지스터
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서로 다른 조성물로 이루어진 두개의 반도체를 접합시켜 형성된 구조의 2차원 전자가스층을 전자통로로 이용하고, 세개 이상의 수십 nm의 게이트 길이를 갖는 분리 게이트를 나란히 배열하고, 그 분리 게이트 사이의거리가 다르며, 세번째 분리 게이트에 의한 포텐샬 장벽의 높이가 다른 두개의 높이보다 낮게하고, 다른 기능의 집적 소자와 함께 동시에 집적한 그리고 그 분리 게이트 사이에 양자점을 형성시키고 그 크기를 조절하기 위한 또다른 분리 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 접합되는 두개의 반도체를 각각 구성하는 조성물이 A1GaAs와 GaAs인 것을 특징으로 하는 두개의 비대칭 양자점을 갖는 평면 공명관통 트랜지스터
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