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필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075130
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 필드에미션 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것으로 전자방출음극과 게이트 전극의 간격을 적절히 조절할 수 있으며 균일한 형상을 갖는 전자방출음극을 형성하는 방법을 포함하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것이다. 상술한 본 발명의 특징은 트렌치의 측벽을 통해 노출된 게이트 전극용 막을 열산화하여 열산화막을 형성하고 전자방출음극을 정의하기 위한 식각공정시 상기 게이트 전극의 측면에 형성되어 있는 열산화막을 제거함으로써 게이트 전극과 게이트 절연막을 공간적으로 분리한다. 이러한 방법에 따르면 게이트 전극의 측면에 형성되는 열산화막을 정밀하게 제어할 수 있어 게이트 전극과 전자방출음극간의 간격을 정확하게 조절할 수 있으며, 전자방출음극의 형상을 균일화할 수 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950054549 (1995.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0205051-0000 (1999.03.31)
공개번호/일자 10-1997-0051712 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종문 대한민국 대전광역시 유성구
2 남기수 대한민국 대전광역시 유성구
3 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
4 현영철 대한민국 대전광역시 대덕구
5 박민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210737-51
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210739-42
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210738-07
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210740-99
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0210741-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0467054-28
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757720-15
8 의견서
Written Opinion		 1998.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757719-68
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.12.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0757718-12
10 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0012960-22
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판(201) 상에 제1절연막(202a)과 제1도전막(203a)을 차례로 형성한 후 상기 제1도전막(203a)을 패터닝하여 소정의 폭을 갖는 전자방출음극 라인(203)을 형성하는 단계와, 전표면상에 제2절연막(204a), 제2도전막(205a) 및 제3절연막(206a)을 차례로 형성한 후 상기 제3절연막(206a), 제2도전막(205a) 및 제2절연막(204a)을 동일한 식각마스크를 사용하여 차례로 식각하여 상기 전자방출음극 라인(203)을 소정의 직경으로 노출시키는 트렌치(207)와 제3절연막패턴(206), 게이트 절연막(204) 및 게이트 전극(205)을 형성하는 단계와, 상기 트렌치(207)의 저면 및 측벽으로 노출된 전자방출음극 라인(203)의 표면과 게이트 전극(205)의 측면에 제4절연막(208) 및 제5절연막(209)을 형성한 후 상기 제4절연막(208)을 제거하는 단계와, 전표면상에 제3도전막(210a)을 형성하고 표면상에 형성되어 있는 상기 제3도전막(210a)을 식각하여 상기 트렌치(207)의 측벽에 전자방출음극(210)을 형성하는 단계와, 상기 제2절연막패턴(206), 제5절연막(209) 및 상기 제3절연막패턴(206)의 스탭부분에 잔존하는 제3도전막 패턴(211)을 제거하는 동시에 상기 게이트 절연막(204)측면을 일부분 식각하여 게이트 전극(205)과 전자방출음극(210)을 공간적으로 격리시키는 공정을 포함하여 이루짐을 특징으로 하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1도전막(203a), 제2도전막(205a) 및 제3도전막(210a)은 폴리실리콘으로 형성됨을 특징으로 하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 트렌치(207)를 형성하는 식각공정은 이방성 건식식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제3절연막(206a)은 트렌치(207)를 형성을 위한 이방성 건식식각 공정시 제2도전막(205a)의 표면이 손상되는 것을 방지하기 위한 희생 절연막으로 형성됨을 특징으로 하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제4절연막(208)과 제5절연막(209)은 열산화에 의해 형성됨을 특징으로 하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제3절연막(206a)과 제5절연막(209)은 이방성 건식식각법으로 제거됨을 특징으로 하는 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법

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1 US5769679 US 미국 DOCDBFAMILY
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