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포토레지스트패턴형성방법

  • 기술번호 : KST2015075135
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판에 도포된 포토레지스트층에 가속 전압이 임계치 보다 작은 전자 빔으로 짧은 기간 동안 소정 두께까지 예비 노광하고 딥 UV를 전면에 조사하여 상기 예비 노광된 부분을 완전히 노광시킨다. 따라서, 가속전압이 임계치 보다 작은 전자 빔에 의한 짧은 시간 동안의 예비 노광과 딥 UV에 의한 전면노광에 노광 시간을 감소하며 현상시 수직하는 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01)
CPC G03F 7/7045(2013.01) G03F 7/7045(2013.01)
출원번호/일자 1019950034133 (1995.10.05)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0022534 (1997.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.10.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병선 대한민국 대전광역시유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시유성구
3 양전욱 대한민국 대전광역시유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.10.05 수리 (Accepted) 1-1-1995-0137709-36
2 특허출원서
Patent Application
1995.10.05 수리 (Accepted) 1-1-1995-0137708-91
3 출원심사청구서
Request for Examination
1995.10.05 수리 (Accepted) 1-1-1995-0137710-83
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0137711-28
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0137712-74
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1998.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0137713-19
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0072741-23
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1998.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0072742-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판을 세정 및 건조하는 단계와, 상기 반도체 기판의 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층에 형성할 패턴 형상을 따라 가속 전압이 임계치 보다 작은 전자 빔으로 상기 포토레지스트층의 소정 두께 정도 노광되게 예비 노광하는 단계와, 상기 포토레지스트층을 딥 UV로 전면 조사하여 상기 예비 노광된 부분을 완전히 노광하는 단계와, 상기 완전히 노광된 부분을 현상하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 딥 UV는 파장이 190∼300nm 정도인 포토레지스트 패턴 형성방법

3 3

반포체 기판을 세정 및 건조하는 단계와, 상기 반도체 기판의 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층을 딥 UV로 전면 조사하여 상기 포토레지스트층의 소정 두께 정도로 예비 노광시키는 단계와, 상기 전면이 예비 노광된 포토레지스트층에 형성할 패턴 형상을 따라 가속 전압이 임계치 보다 작은 전자 빔으로 완전히 노광하는 단계와, 상기 완전히 노광된 부분을 현상하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.