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제1항에 있어서, 상기 n-InGaAs 광흡수층(22)은 1-2㎛의 두께와 2×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 InGaAsP 그레이딩층(23)은 InP와 InGaAs의 중간 정도의 밴드갭을 갖는 한층 또는 여러 밴드갭을 갖는 다층으로 구성되며 600-2000Å의 두께를 갖는것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 식각완충층(24)은 200-2000Å의 두께와 5×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도를 갖는것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 n-InP 전하층(25)은 1-2×1012㎝-2의 전하밀도와 50-1000Å의 두께를 갖는 것은 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 전하량완충층(26)은 200-2000Å의 두께와 2×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 n-InP 전하층(27)은 1-2×1012㎝-2의 전하량을 가지며 총전하량(σ1+σ2)의 1/3-1/2 이 되도록 두께와 도핑농도가 조절된 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 증폭층(28)은 2×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도와 3-4㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드
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n+-InP 기판(11)상에 n-InP 완충층(21), n--InGaAs 광흡수층(22), InP와 InGaAs의 중간정도의 밴드갭을 갖는 InGaAsP 그레이딩층(23), 도핑하지 않은 InP 식각완충층(24), n-InP 전하(25) 및 도핑하지 않은 InP 전하량 완충층(26)을 차례로 형성하는 단계와, 활성층형성 영역을 정의하기 위해 도핑하지 않은 InP 전하량 완충층(26)과 n-InP 전하층(25)을 차례로 식각하여 도핑하지 않은 InP 식각완충층(24)상의 소정영역에 일정폭을 갖는 도핑하지 않은 InP 전하량완충층(26)과 n-InP 전하층(25)으로된 패턴을 형성하는 단계와, 상기 노출된 도핑하지 않은 InP 식각완충층(24)과 도핑하지 않은 InP 전하량완충층(26)의 전면에 n-InP 전하층(27)과 불순물을 도핑하지 않은 도핑하지 않은 InP 증폭층(28)을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 n--InGaAs 광흡수층(22)은 1-2㎛의 두께와 2×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 InGaAsP 그레이딩층(23)은 InP와 InGaAs의 중간의 밴드갭을 갖는 한층 또는 여러 밴드갭을 갖는 다층으로 구성되며 600-2000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 식각완충층(24) 은 200-2000Å의 두께와 2×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 n-InP 전하층(25)은 1-2×1012㎝-2의 전하밀도와 50-1000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 전하량완충층(26)은 200-2000Å의 두께와 2×1015㎝-3 이하의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 n-InP 전하층(27)은 1-2×1012㎝-2의 전하량을 가지며 총전하량(σ1+σ2)의 1/3-1/2이 되도록 두께와 도핑농도가 조절된 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 증폭층(28)은 2×1015㎝-3 이하의 캐리어농도와 3-4㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 증폭층(28)상에 도핑하지 않은 InP 증폭층(28)을 형성하고 소정영역에 p형 불순물을 도핑하여 p-InP층(29)을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 식각완충층(24)과 도핑하지 않은 n-InP 전하량완충층(26) 상에 100-2000Å의 두께를 갖는 InP층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 p-InP층(29)은 Be-implant의 방법으로 형성됨을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 전하량완충층(26)과 n-InP 전하층(25)은 습식식각법에 의해 식각됨을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 InP 전하량 완충층(26)과 n-InP 전하층(25)의 패턴형성을 위한 식각을 건식식각법에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 부분적으로 높은 전하량을 갖는 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법
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