| 1 |
1
화합물 반도체의 기판 상에 채널층을 결정 성장하고 이 채널층 상부의 소정 부분에 감광막을 감광막을 형성하는 공정과, 상기 채널층과 감광막의 상부에 금속 초격자층과 오믹 접촉전극 구조를 이루는 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 제거함과 동시에 상부에 형성된 오믹 금속층도 제거하고 상기 채널층의 노출된 부분과 오믹 금속층의 상부에 보호층을 형성한 후 상기 오믹 금속층을 저온과 고온에서 연속적으로 2단계 급속 열처리하는 공정과, 상기 보호층을 제거하고 상기 채널층과 오믹 금속층의 상부에 PMMA의 제1감광막과 P(MMA-MAA)의 제2감광막을 형성한 후 상기 제1 및 제2 감광막을 노광 및 현상하여 상기 채널층을 노출시키는 T자형의 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구를 통해 상기 채널층의 노출된 부분과 상기 제1 및 제2 감광막의 상부에 게이트 금속전극을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2 감광막을 리프트-오프 방법에 의해 제거함과 동시에 상부의 게이트 금속전극을 제거하는 공정을 구비하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 금속 초격자층을 Pd, Mi 및 Ge가 각각 20∼70Å의 두께로 증착하여 형성하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 오믹 금속층을 Ni를 100∼300Å, Ge를 500∼700Å, Au를 1500∼2000Å로 순차적으로 두껍게 증착하여 형성하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 보호층을 산화막/SixOyNz막의 이중층 또는 산화막/SixOyNz/산화막의 삼중층으로 형성하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 보호층을 저온 PECVD방법으로 형성하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 2단계 급속 열처리를 270∼300℃의 저온과 400∼470℃의 고온으로 실시하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 2단계 급속 열처리를 저온과 고온에서 각각 20초 동안 실시하는 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법
|
