도파로형 광부품 제조시 화염가수분해법에서 화염의 저온화로 고균질의 실리카막을 실리콘, 석영, 사파이어 등의 기판에 저온으로 화염을 조절하여 증착하도록 각각의 원료가 Manifold(5)에서 혼합된 상태로 반응실의 토치(6)로 공급되어 증기압차이에 따른 유량제어의 불균형을 항온조(7)의 정밀한 온도제어로 각원료의 증기압을 동일하게 하여 제어하며, 액체 원료 Bath(8)내에서 헬륨 이송기체버블의 경로(액체원료수위)차에 따른 조성의 불균일을 막도록 Double MFC(9)에서 원료와 이송기체 비율의 변동량을 항온조(7)에 Feedback시켜 원료의 온도를 증감하여 원료의 증기압에 의해 유량이 제어되도록 함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항에 있어서, 상기 가스조절 시스템은 액체원료(SiCl4, BCl4, POCl4등)가 Manifold등에서 용인한 혼합과 역류방지를 위하여 항온조(7)에서 온도조절을 통하여 모두 동일한 증기압을 갖도록 조절함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가스조절 시스템은 항온조 Bath(8)에 원료기체의 레벨변동에 따른 유량 변동을 막기 위하여 MFC에서 원료와 이송기체 비율의 변동량을 항온조 히팅라인에 Feedback시켜 원료의 온도조절에 의하여 보정하도록 함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가스조절 시스템은 각각의 라인의 온도제어를 4 Zone으로 2℃씩 온도구배되도록 구성하여 반응토치(6)로 운송되는 원료의 흐름을 유도한 라인 히팅을 조절하도록 함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가스조절 시스템은 각각의 라인의 온도제어를 비등점이상의 온도로 조절할 수 있도록 구성하여 반응토치(6)로 운송되는 원료의 액화를 방지시킨 라인 히팅 조절하도록 함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항에 있어서, 상기 가스조절 시스템은 Manifold(5)에 5라인이 동시에 혼합될 수 있도록 자동 밸브(18), 테프론 밸브(19)와 체크밸브를 구성하여 역류를 막고 Dead Space를 억제하도록 Mixing함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항에 있어서, 상기 Manifold(5)구성은 증기압이 낮은 원료의 원할한 흐름을 유도하기 위하여 헬륨가스라인을 Manifold 0

제1항에 있어서, 상기 Manifold(5)구성은 0

제1항에 있어서, 상기 Manifold(5)구성은 토치(6)로 연결되는 원료 기체 라인에 튜브(17)와 에어밸브(18)를 0

제1항에 있어서, 상기 가스조절 시스템중 연소 가스인 수소 라인을 헬륨으로 희석(Dilution)시켜 연소시 산소와의 반응을 억제하여 화염의 온도를 낮추도록 함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제1항에 있어서, 상기 가스조절 시스템중 연소 가스인 산소라인을 헬륨으로 희석(Dilution)시켜 연소시 산소와의 반응을 억제하여 화염의 온도를 낮추도록 함을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템

제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 연소가스 라인중 산소와 수소를 헬륨으로 희석시킬 때 균일한 혼합을 유도하기 위하여 배관에 정체라인으로 0

제12항에 있어서, 상기 연소가스 라인중 산소와 수소를 헬륨으로 희석시킬 때 균일한 혼합을 유도하기 위하여 배관에 정체라인내에 High Temp

제1항에 있어서, 상기 가스조절 시스템중 GeCl4의 버블링은 SiCl4, PCl4 등과 같은 액체원료와는 달리 가수분해반응의 의존보다는 고온산화 반응의 의존도가 높기 때문에 이송기체로서 산소를 사용하며 산소라인(26)의 구성을 헬륨라인과 공유하여 GeO2의 형성을 촉진시킴을 특징으로 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템