맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 제조공정에서 다중열처리에 의한 금속배선의형성방법

  • 기술번호 : KST2015075171
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조공정에서 다중열처리에 의한 금속배선의 형성방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 반도체 제조공정에서 증착된 금속막에 대해 다중열처리를 수행하여 금속배선이 받는 스트레스를 완화시킴으로써, 금속 배선의 수명을 연장시킬 수 있는 금속배선의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 금속 선 형성방법은, 반도체 소자 제조공정에서 실리콘 기판 위에 산화막을 성장시키고 금속막을 증착시킨 후 열처리에 의해 금속 배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기한 금속막을 1차 열처리온도(T1)인 420~460℃에서 1차 열처리한 후, 상기한 1차 열처리온도(T1)보다 낮은 열처리 온도 (T2) 에서 2차 이상의 다중 열처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/76886(2013.01)
출원번호/일자 1019950051474 (1995.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170478-0000 (1998.10.15)
공개번호/일자 10-1997-0052936 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.18)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주철원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199551-51
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199550-16
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199549-69
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199552-07
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199553-42
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0105249-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 소자 제조공정에서 실리콘 기판 위에 산화막을 성장시키고 금속막을 증착시킨 후 열처리에 의해 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기한 금속막을 1차 열처리온도(T1)인 420~460℃ 에서 1차 열처리한 후, 상기한 1차 열처리 온도(T1)보다 낮은 열처리 온도 (T2)에서 2차 이상의 다중 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기한 열처리온도(T2)는 150~180℃인 것을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.