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반도체 표면 평탄화 방법

  • 기술번호 : KST2015075173
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자제조에서 이온 밀링(ion miling)법을 이용한 반도체 표면 평탄화 방법에 관한 것으로서, 그 특징은 반도체 표면 평탄화 방법에 있어서, 이온 밀링 장비를 이용하여 진공용기 속에서 웨이퍼를 낱장으로 장입하는 제1과정과, 이온총으로 질량이 큰 이온입자를 생성한 제2과정과, 상기 이온 입자를 고에너지로 가속시켜 이온빔을 만드는 제3과정과, 회전하고 있는 웨이퍼를 상기 이온빔으로 비스듬히 사격하는 제4과정 및 표면의 물질에 관계없이 직접적이고 물리적으로 반도체 웨이퍼 표면을 평탄하게 가공하는 제5과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 반도체 표면 가공 공정에 있어서 기존 방법에 비하여 공정 자동화에 유리하고, 공정종료점을 용이하게 감지할 수가 있으며, 금속배선시 단차도포율(step coverage)도 용이하게 개선시키는 데에 그 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1019950051478 (1995.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0052818 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.18)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
2 곽명신 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199577-37
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199575-46
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199576-92
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199578-83
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199579-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0105260-37
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0467494-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 표면 평탄화 벙법에 있어서, 이온 밀링 장비를 이용하여 진공용기 속에서 웨이퍼를 낱장으로 장입하는 제1과정과, 이온총으로 질량이 큰 이온입자를 생성한 제2과정과, 상기 이온 입자를 고에너지로 가속시켜 이온빔을 만드는 제3과정과; 회전하고 있는 웨이퍼를 상기 이온빔으로 비스듬히 사격하는 제4과정과; 및 표면의 물질에 관계없이 직접적이고 물리적으로 반도체 웨이퍼 표면을 평탄하게 가공하는 제5과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 평탄화 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제2과정에서 질량이 큰 이온 입자로 Ar+ 나 Ar++와 같은 아르곤 이온 입자를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 평탄화 방법

3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.