도전형의 에미터층; 도전형의 콜렉터층; 상기 에미터층과 상기 콜렉터층 보다 도전밴드의 최저 준위가 낮아 양자우물 구조를 만들수 있고 전자이동도가 높은 물질의 도전형의 베이스층; 상기 베이스층과 상기 콜렉터층 사이에 콜렉터 장벽층; 및 상기 에미터층과 상기 베이스층 사이에 인터밴드 공진 터널링 양자우물 구조의 에미터 전자 투사 장벽층으로 구성된 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫전자 장치

제1항에 있어서, 상기 에미터 전자 투사 장벽층은 상기 에미터층과 같은 물질의 도전밴드와 밸런스 밴드가 겹치는 도우핑 되지 않은 정공의 양자 우물층; 상기 에미터층과 같은 물질이며, 속박전위가 상기 정공의 양자 우물층의 속박전위준위 보다 위에 오도록 정해지고, 도우핑되지 않은 전자의 양자 우물층; 도우핑되지 않은 에미터 장벽층; 및 도우핑되지 않은 전위변화 흡수층으로 구성되어, 외부 전압 적용시 정공의 양자속박 준위가 전자의 양자속박 준위와 정렬이 일어남으로써 핫전자의 투사가 베이스 영역으로 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫전자 장치

제1항에 있어서, 상기 에미터 장벽층과 상기 전위변화 흡수층의 넓이를 조정함으로써 페르미 에너지와 정렬된 양자속박 준위를 통해 공진 터널링이 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫전자 장치

제1항에 있어서, 상기 에미터 전자투사 장벽층이 3개 이상의 장벽 구조를 가진 인터밴드 공진 터널링 구조인 것을 특징으로 하는 공진 터널링 핫전자 장치