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반도체 소자의 금속배선방법

  • 기술번호 : KST2015075182
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 금속배선방법에 관한 것이다.좀 더 구체적으로, 본 발명은 반도체 소자의 금속배선 과정에 있어서 Cu 등과 같은 식각이 어려운 금속의 배선을 용이하게 형성시킬 수 있는 금속배선방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선방법은, 감광제를 사용하여 웨이퍼의 절연층(1)을 음각으로 식각하여 소정의 배선구조에 따라 도랑(2)을 형성하는 과정; 상기한 과정에 의해 형성된 도랑(2)의 내면에 흡착 촉진물(3)을 도포하는 과정; 상기한 과정에 의해 도랑(2)이 형성된 웨이퍼를 배선금속의 용액에 침적하여 도랑(2) 내부에 대한 배선금속의 흡착에 의해 웨이퍼 상에 금속세선(4)을 형성하는 과정; 및, 상기한 과정에 의해 금속세선(4)이 형성된 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 과정을 포함한다.
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01)
출원번호/일자 1019950053640 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0171016-0000 (1998.10.16)
공개번호/일자 10-1997-0052941 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
2 곽명신 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207283-53
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207282-18
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207281-62
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207284-09
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207285-44
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109472-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

감광제를 사용하여 웨이퍼의 절연층을 음각으로 식각하여 소정의 배선구조에 따라 도랑을 형성하는 과정; 상기한 과정에 의해 형성된 도랑의 내면에 흡착 촉진물을 도포하는 과정; 상기한 과정에 의해 도랑이 형성된 웨이퍼를 배선금속의 용액에 침적하여 도랑 내부에 대한 배선금속의 흡착에 의해 웨이퍼 상에 금속세선을 형성하는 과정; 및, 상기한 과정에 의해 금속세선이 형성된 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 과정을 포함하는 반도체 소자의 금속배선방법

2 2

제1항에 있어서, 상기한 금속세선 형성과정에 의해 도랑의 내부에 기형성된 금속세선을 전기도금 등에 의해 성장시키는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기한 흡착 촉진물로는 TaN/Ti 또는 TiN/Ti를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.