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반도체 위에 금속박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015075184
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 위에 금속박막을 형성하는 방법에 관한 것으로 특히, 초고진공내에서 계면활성제로서 Sb나 As을 이용하여 Si과 같은 반도체 기판 위에 균일하게 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판으로 사용될 반도체 단결정을 깨끗하게 진공 내에서 세척하여 오염되지 않고 균일한 면을 얻는 다음, 기판을 적절한 온도 정도로 가열하면서 계면활성제를 진공증착하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 형성된 계면활성제 박막 위에 금속을 진공 증착하는 제2단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/2855(2013.01)
출원번호/일자 1019950053645 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0171023-0000 (1998.10.16)
공개번호/일자 10-1997-0052321 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
2 하정숙 대한민국 대전광역시 유성구
3 이일항 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207304-24
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207306-15
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207305-70
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207307-61
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207308-17
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109483-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판으로 사용될 반도체 단결정을 개끗하게 진공 내에서 세척하여 오염되지 않고 균일한 면을 얻는 다음, 기판을 적절한 온도 정도로 가열하면서 계면활성제를 진공증착하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 형성된 계면활성제 박막 위에 금속을 진공 증착하는 제2단계로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 위에 금속박막 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 기판을 600℃ 정도로 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 위에 금속박막 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 계면활성제로서 안티몬(Sb)과 비소(As) 로 형성된 그룹에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 위에 금속박막 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1단계에서의 진공증착의 속도는 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy) 조건으로 대략 1Å/min 인 것을 특징으로 하는 반도체 위에 금속박막 형성방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP09181017 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9181017 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09181017 JP 일본 DOCDBFAMILY
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