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갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 캡층과 금속 전극의 저항성 접촉 형성방법에 있어서, 상기 캡층을 상기 갈륨 비소와 격자 상수가 유사하여 격자 부정합이 발생되지 않고 불순물이 고농도로 도핑되는 저마늄으로 형성하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 캡층을 MBE 방법으로 형성하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 반도체 기판 상에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 완충층을 형성하는 공정과, 상기 완충층의 상부에 N형 불순물이 도핑된 갈륨 비소의 채널층을 형성하는 공정과, 상기 채널층의 상부에 갈륨 비소와 격자 상수가 유사하여 격자 부정합이 발생되지 않고 불순물이 고농도로 도핑되는 저마늄의 캡층을 형성하는 공정을 구비하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 완충층과 채널층을 MBE 도는 MOCVD 방법으로 결정성장하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 캡층을 MBE 방법으로 형성하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 반도체 기판 상에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 완충층을형성하는 공정과, 상기 완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 격리층을 형성하는 공정과, 상기격리층의 상부에 N형 불순물이 도핑된 알루미늄 갈륨 비소의 소오스층을 형성하는 공정과, 상기 소오스층의상부에 갈륨 비소와 격자 상수가 유사하여 격자 부정합이 발생되지 않고 불순물이 고농도로 도핑되는 저마늄의캡층을 형성하는 공정을 구비하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 완충층과 채널층을 MBE 또는 MOCVD 방법으로 결정성장하는 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 캡층을 MBE 방법으로 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 저항성 접촉 형성방법
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