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광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015075209
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저에 관한 것으로서, 제1도전형의 화합물 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 15~35주기의 DBR(Distributed Bragg reflector)구조로 형성된 제1거울층과; 상기 제1거울층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 화합물 반도체로 형성되어 주입되는 전자와 종공을 재결합시켜 광을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 1~4주기의 DBR 구조로 이루어진 하부 접축층과, 3~6개 정도의 양자우물과 이 양자 우물 사이에 장벽으로 이루어진 양자 우물층과, 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 10~35주기의 DBR 구조로 이루어진 상부 접축층이 순차적으로 적층되고, 상기 양자 우물층과 상부 접축층이 하부 접촉층의 상부의 소정 부분에 원통형을 이루도록 형성된 제2거울층과; 상기 반도체 기판의 하부표면, 상기 하부 접촉층과 상기 상부 접촉층에 각각 형성된 제1, 제2및 제3전극을 구비하며 상기 제1및 제2전극 사이에 발진 전류를 가하고 상기 제2 및 제3전극에 변조 전압을 인가한다.따라서, 제1및 제2전극 사이에 활성층의 광을 발진시키는 전류의 주입과 독립적으로 제2및 제3전극에 인가되는 전압에 의한 전기장에 의해 양자 우물층의 광흡수를 조절시키므로 캐리어의 이동 속도와 높은 저항에 무관하게 광 출력이 변조되어 광변조 속도 및 변조 특성을 향상할 수 있다.
Int. CL H01S 5/183 (2006.01)
CPC H01S 5/18327(2013.01) H01S 5/18327(2013.01) H01S 5/18327(2013.01)
출원번호/일자 1019950051481 (1995.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0054979 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병수 대한민국 대전광역시 서구
2 박효훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199590-21
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199591-77
3 출원심사청구서
Request for Examination
1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199592-12
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199593-68
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199594-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0105266-11
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.09.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0199596-05
8 의견서
Written Opinion
1998.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199595-59
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0472103-96
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.01.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5003902-76
11 의견서
Written Opinion
1999.01.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5003901-20
12 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1999.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0114863-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1도전형의 화합물 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 15~35주기의 DBR(Distributed Bragg reflector)구조로 형성된 제1거울층과; 상기 제1거울층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 화합물 반도체로 형성되어 주입되는 전자와 종공을 재결합시켜 광을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 1~4주기의 DBR 구조로 이루어진 하부 접축층과, 3~6개 정도의 양자우물과 이 양자 우물 사이에 장벽으로 이루어진 양자 우물층과, 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 10~35주기의 DBR 구조로 이루어진 상부 접축층이 순차적으로 적층되고, 상기 양자 우물층과 상부 접축층이 하부 접촉층의 상부의 소정 부분에 원통형을 이루도록 형성된 제2거울층과; 상기 반도체 기판의 하부표면, 상기 하부 접촉층과 상기 상부 접촉층에 각각 형성된 제1, 제2및 제3전극을 구비하며 상기 제1및 제2전극 사이에 발진 전류를 가하고 상기 제2 및 제3전극에 변조 전압을 인가하는 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형이고, 제2도전형이 P형인 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저

3 3

제1항에 있어서, 상기 양자 우물층의 양자 우물의 두께가 전기장이 없는 상태에서 레이저 발진 파장(

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.