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이종접합 트랜지스터의 부콜랙터층을 이용한 고저항제조방법

  • 기술번호 : KST2015075218
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 트랜지스터의 부콜렉터층을 이용한 고저항의 제조방법에 관한 것으로서, 반절연성 갈륨비소로 이루어진 반도체기판 상부의 부콜렉터층 상부에 저항을 형성하기 위한 소정의 영역을 노출시키는 감광막을 형성하는 제 1 과정과, 상기 부콜렉터층의 노출된 부분에 B+이온을 주입한 후, 결정이 파괴되지 않은 부콜렉터층을 이용하여 저항을 형성하는 제 2 과정 및 상기 감광막을 제거한 후, 리프트 오프공정에 의해 저항 금속(Ohmic Metal)을 형성하는 제 3 과정을 포함하여 이루어져, 반절연성 갈륨비소 기판상부의 부콜렉터층에 B+이온을 주입하는 간단한 공정과정을 통해서 결정이 파괴되지 않은 부콜렉터층을 이용하여 임의의 높은 저항값을 갖는 고저항을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/331 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019950053680 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0161198-0000 (1998.08.21)
공개번호/일자 10-1997-0053004 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 송기문 대한민국 서울특별시 서초구
4 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207500-77
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207499-18
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207501-12
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207502-68
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207503-14
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109565-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 수동소자인 저항을 제작하는 집적회로의 공정에 있어서, 반절연성 갈륨비소 기판위의 부콜렉터층 상부에 저항이 형성되기 위한 소정의 영역을 노출시키는 감광막을 형성하는 제 1 과정과, 상기 부콜렉터층의 노출된 부분에 B+ 이온을 주입한 후, 결정이 파괴되지 않은 부콜렉터층을 이용하여 저항을 형성하는 제 2 과정 및 상기 감광막을 제거한 후 리프트 오프공정에 의해 저항 금속(Ohmic Metal)을 형성하는 제 3 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 트랜지스터의 부콜렉터층을 이용한 고저항의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제 2 과정의 이온주입 공정시 감광막의 두께를 조절함으로써 상기 B+ 이온에 의해 저항의 오믹 금속영역의 결정이 파괴되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 이종접합 트랜지스터의 부콜렉터층을 이용한 고저항의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.