맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법

  • 기술번호 : KST2015075227
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법에 관한 것으로서 매몰산화막 및 실리콘층을 갖는 실리콘기판으로 이루어진 SOI 기판 상에 완충 산화막과 실리콘 질화막을 증착한 후 포토리쏘그래피 방법에 의해 활성영역을 한정하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 상기 활성영역보다 두꺼운 격리 산화막을 증착하는 공정과, 상기 활성영역의 상부에 상기 격리산화막의 측벽과 소정 거리 이격된 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 가장자리가 흘러 내려 상기 격리산화막의 측벽을 감싸도록 열처리하는 공정과, 상기 격리산화막의 노출된 부분을 제거하여 상기 실리콘 질화막을 노출시키는 공정과, 상기 감광막을 제거하고 상기 열산확이 노출되도록 상기 실리콘 질화막을 제거하는 공정과, 상기 활성영역이 노출되도록 완충산화막을 제거하고 상기 활성영역의 노출된 부분을 열산화시켜 게이트 산화막을 형성한 후 상기 게이트 산화막의 상부에 게이트를 형성하는 공정을 구비한다.따라서, 채널 영역으로 이용되는 활성영역의 주위에 소자를 격리하기 위한 격리산화막을 활성영역의 두께로 형성하여 활성영역의 측면으로 전류가 누설되는 것을 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/76 (2006.01)
CPC H01L 21/823481(2013.01) H01L 21/823481(2013.01)
출원번호/일자 1019950052672 (1995.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170475-0000 (1998.10.15)
공개번호/일자 10-1997-0053401 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.20)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유종선 대한민국 대전광역시 유성구
2 이규홍 대한민국 대전광역시 유성구
3 강성원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203824-61
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203822-70
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203823-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203825-17
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203826-52
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0107525-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

매몰산화막 및 실리콘층을 갖는 실리콘기판으로 이루어진 SOI 기판 상에 완충 산화막과 실리콘 질화막을 증착한 후 포토리쏘그래피 방법에 의해 활성영역을 한정하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 상기 활성영역보다 두꺼운 격리 산화막을 증착하는 공정과, 상기 활성영역의 상부에 상기 격리산화막의 측벽과 소정 거리 이격된 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 가장자리가 흘러 내려 상기 격리산화막의 측벽을 감싸도록 열처리하는 공정과, 상기 격리산화막의 노출된 부분을 제거하여 상기 실리콘 질화막을 노출시키는 공정과, 상기 감광막을 제거하고 상기 열산확이 노출되도록 상기 실리콘 질화막을 제거하는 공정과, 상기 활성영역이 노출되도록 완충산화막을 제거하고 상기 활성영역의 노출된 부분을 열산화시켜 게이트 산화막을 형성한 후 상기 게이트 산화막의 상부에 게이트를 형성하는 공정을 구비하는 에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 격리산화막을 형성하기 전에 활성영역의 측면에 열산화막을 형성하는 공정을 더 구비하는 에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 활성영역의 측면에 열산화막을 30∼50㎚의 두께로 형성하는 에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 격리산화막을 활성영역보다 10∼30㎚ 두껍게 형성하는 에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 감광막을 0

6 6

제5항에 있어서, 상기 감광막을 상기 격리산화막의 측벽과 0

7 7

제1항에 있어서, 상기 감광막을 120∼150℃의 온도로 10∼30분 동안 열처리하는 에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.