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홈 위에 다리를 갖는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 기판(21)의 양면에 식각방지층(22)을 형성하고 상기 기판의 앞면 식각방지층(22) 위에 금속패드(24)를 형성하는 제1단계; 상기 기판(21)의 전면에 금속패드보호막(25)을 증착하고 이어서 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 등의 일련의 사진전사공정과 금속패드보호막(25) 및 식각방지층(22)의 건식식각을 통하여 다리기초(26)와 홈식각창(27)을 동시에 형성하는 제2단계; 상기 기판(21)의 전면에 포토레지스트의 도포와, 노광 및 현상 등의 일련의 사진전사공정을 이용하여 상기 홈식각창(27) 주위에 배치된 다리기초(26)의 금속패드보호막(25)의 일측과 일정부분 겹치는 포토레지스트 구조체(40)를 형성하고, 전기도금보조층(42)을 기판의 전면에 증착하는 제3단계; 상기 전기도금보조층(42) 위에 포토레지스트(47)의 도포와 노광, 현상 등의 사진전사공정을 통하여 다리가 형성될 부위의 포토레지스트를 제거하는 제4단계; 상기 기판(21)위에 금(gold) 등의 기판 에칭용액에 대해 내부식성을 갖는 물질을 소정의 두께로 전기도금하여 다리(51)를 형성시키고, 도금이 완료된 이후에 다리 하부(53) 및 기타 부위에 존재하는 포토레지스트(47)를 포토레지스트 제거제로 제거하는 제5단계; 및 상기 기판(21)을 이방성 에칭용액 중에 담그고, 상기 홈식각창(27)을 통해 노출된 상기 기판(21)을 에칭하여 홈(58)을 형성하고, 이어서 상기 기판(21)상에 추가적으로 필요한 제반공정들을 수행한 연후에 상기 다리(51)를 기판(21)으로부터 분리시키는 제6단계로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 식각방지층을 형성할 때, 실리콘산화막 또는 실리콘질화막으로 형성된 그룹에서 선택된 하나를 증착하므로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 금속패드(24)의 형성은 사진전사공정, 알루미늄의 증착 및 리프트-오프 공정을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속패드(24)의 구조를 2층 혹은 3층 이상의 다층 구조로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속패드(24)는 웨이퍼의 표면과 직접 접촉되는 최하층물질로서 티타늄(Titanium) 또는 크롬(Cromium)으로 형성된 그룹에서 선택된 하나를 사용하고, 그 위에 선택적인 제거가 필요한 희생층으로서 알루미늄을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속패드(24) 최외곽의 표면층으로서 금 또는 백금으로 형성된 그룹에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 금속패드(24)가 홈 에칭용액에 의해 부식되는 것을 방지할 목적으로 금속패드보호막(25)을 상기 기판(21)의 양면에 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계에서의 상기 금속패드보호막(25)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 형성된 그룹에서 선택된 하나로써 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계의 전기도금 보조층(42)은 Au/Ti, Au/Ni/Ti 과 같은 여러가지 종류의 금속층중 어느 하나 또는 이들의 복합물질로 이루어진 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제5단계에서 상기 다리(51)는 상기 포토레지스트 구조체(40) 위에 전기도금 보조층(42)을 사용하지 않고 직접 금속을 증착하고 리프트-오프하므로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제6단계에서 홈을 형성할 때 이방성 에칭용액에 담그는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제6단계에서 상기 다리(51)를 상기 기판(21)으로부터 분리시키는 것은 먼저 다리(51)와 금속패드보호막(25)을 제외한 여타 부분을 사진전사공정을 통하여 포토레지스트(59)로 가리는 제1과정; 금속패드보호막(25)을 습식 혹은 건식식각하여 제거하고, 이어서 금속패드(24) 혹은 금속패드(24)내 희생층을 습식에칭하여 제거하는 제2과정; 및 금속패드(24) 혹은 희생층을 모두 에칭하여 다리(51)를 기판(21)으로부터 분리하는 제3과정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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