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고출력 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015075235
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체기판과,상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 '형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위해 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공진기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1및 제2 P형 전극을 구비한다.따라서, 공진기 내부의 전하밀도와 이득분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간흘버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC H01S 5/2224(2013.01) H01S 5/2224(2013.01) H01S 5/2224(2013.01)
출원번호/일자 1019950052687 (1995.12.20)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0178493-0000 (1998.11.23)
공개번호/일자 10-1997-0054969 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
2 조호성 대한민국 대전광역시 서구
3 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203911-35
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203909-43
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203910-90
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203912-81
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203913-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0107556-93
7 의견서
Written Opinion		 1998.09.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203915-17
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.09.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203914-72
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.09.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203916-63
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0472059-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위해 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공진기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1및 제2 P형 전극을 구비하는 고출력 레이저 다이오드

2 2

제1항에 있어서, 상기 분리층이 SiO2또는 Si3Nx의 절연물로 형성된 고출력 레이저 다이오드

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1및 제2 P형전극 사이의 저항 차가 1Ω이상인 고출력 레이저 다이오드

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.