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원판진동형마이크로자이로스코프및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015075259
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.
Int. CL G01C 19/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950047433 (1995.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0171009-0000 (1998.10.16)
공개번호/일자 10-1997-0048457 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990501) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대전광역시유성구
2 최부연 대한민국 대전광역시유성구
3 박경호 대한민국 대전광역시유성구
4 유형준 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1995.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0185368-29
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0185367-84
3 특허출원서
Patent Application
1995.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0185366-38
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0185369-75
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0185370-11
6 등록사정서
Decision to grant
1998.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0097948-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1) 상에 형성되고 원판형 진동체(2)의 하면 중심부에 부설되어 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 원판 형상을 지니고, 각속도(1)과 일정간격 이격되어 상기한 지지대(3) 상에 중심부가 지지형성되며, 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 상기한 원판형 진동체(2)와 동축상으로 진동체(2) 하부의 실리콘 기판(1) 상에 4개 이상의 짝수개로 분할된 원형으로 형성되어 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코프의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및, 상기한 원판형 진동체(2)와 동축상으로 형성되고, 상기한 하부 검출전극(5) 및 원판형 진동체(2)와 축방향으로 일정 간격 이격되어 실리콘 기판(1) 상에 4개 이상의 짝수개로 분할된 원형으로 각각의 일단이 지지형성되고, 타단이 상기한 원판형 진동체(2)의 상부와 일정간격 이격되도록 연장절곡 형성되어 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프

2 2

제1항에 있어서, 상기한 상부 구동전극(4)과 일정간격 상향으로 이격된 밀봉 구조체(9)가 상부 구동전극(4) 상에 추가로 밀봉형성된 것을 특징으로 하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프

3 3

제1항에 있어서, 상기한 하부 검출전극(5)은 상부 구동전극(4)의 2배 이상의 정수배로 분할된 원형 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프

4 4

제1항에 있어서, 상기한 원판형 진동체(2), 상부 구동전극(4) 및 하부 검출전극(5)은 P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프

5 5

실리콘 기판(1) 상에 4개 이상의 짝수개로 분할된 원형으로 형성되어 원판형 진동체(2a)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코프의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 상기한 하부 검출전극(5)의 외주연과 일정 간격 이격되어 상기한 하부 검출전극(5)과 동축상을 지닌 환 형상으로 실리콘 기판(1) 상에 형성되고 원판형 진동체(2a)의 외주연 하단에 부설되어 원판형 진동체(2a)를 지지하기 위한 지지대(3a); 원판 형상을 지니고, 실리콘 기판(1) 및 하부 검출전극(5)과 일정간격 이격되어 상기한 지지대(3a) 상에 외주연이 지지형성되며, 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2a); 및, 상기한 원판형 진동체(2a)와 동축상으로 형성되고, 상기한 하부 검출전극(5) 및 원판형 진동체(2a)와 축방향으로 일정 간격 이격되어 실리콘 기판(1) 상에 4개 이상의 짝수개로 분할된 원형으로 각각의 일단이 지지형성되고, 타단이 상기한 원판형 진동체(2a)의 상부와 일정간격 이격되도록 연장절곡 형성되어 상기한 원판형 진동체(2a)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프

6 6

실리콘 기판(1) 상에 산화막과 질화막으로 이루어진 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 원판형 진동체(2)와 하부 검출전극(5) 간의 공간을 형성하기 위하여 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 원판형 진동체(2)의 지지대(3)를 형성하기 위하여 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 포토레지스트를 마스크로 하여 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 형성하기 위하여 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 원판형 진동체(3)와 상부 구동전극(4) 간의 공간을 형성하기 위하여 산화막의 상부 희생층(7)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 상부 구동전극(4)을 형성하기 위하여 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 원판형 진동체(2)와 상부 구동전극(4) 및 하부 검출전극(5) 사이의 공간을 형성하기 위하여 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 원판형 진동체(2)와 상부 구동전극(4) 및 하부 검출전극(5) 사이의 공간을 형성하기 위하여 상기한 습식 식각공정 후, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 증기상 식각하는 공정이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프의 제조방법

8 8

제6항에 있어서, 원판형 진동체(2)와 상부 구동전극(4) 및 하부 검출전극(5) 사이의 공간을 형성하기 위한 상기한 습식 식각공정에 의해 얻어진 상부 구동전극(4) 상에 상기 구동전극(4)과 일정간격 상향으로 이격되도록 밀봉 구조체(9)를 진공하에서 패키징하는 공정이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 원판 진동형 마이크로 자이로스코프의 제조방법

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1 US5783749 US 미국 DOCDBFAMILY
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