맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

평면공명관통다이오드

  • 기술번호 : KST2015075320
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평면 공명관통 다이오드에 관한 것으로서, 반절연성 GaAs의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 GaAs의 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 스페이서층, 상기 스페이서층의 상부에 형성된 N형 불순물이 도핑된 AlGaAs의 도핑층과, 상기 도핑층 상부의 소정 부분에 채널 영역에 의해 소정 거리 이격되어 형성된 N형 불순물이 도핑된 GaAs의 캡층과, 상기 캡층의 상부에 형성된 오믹 전극과, 상기 오믹전극의 하부 캡층에서 상기 버퍼층 까지 상기 오믹전극과 합금되어 형성된 오믹 접촉 영역과, 상기 버퍼층 상부의 상기 오믹 접촉 영역 사이에 형성된 2차원 전자 기체층과, 상기 도핑층의 채널 영역 상부에 채널의 폭 방향으로 길게 형성된 제1, 제2 및 제3 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 공명관통 전류를 극대화하므로 높은 음미분저항을 얻을 수 있고, 다수의 게이트 전압을 조절할 수 있으므로 공명 관통 전류를 조절할 수 있으며, 또한, 다른 특성을 갖는 반도체 소자와의 집적화가 가능하다.
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/882(2013.01) H01L 29/882(2013.01)
출원번호/일자 1019950047861 (1995.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170188-0000 (1998.10.14)
공개번호/일자 10-1997-0054339 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.08)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전광역시유성구
2 이성재 대한민국 서울특별시서초구
3 신민철 대한민국 대전광역시중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186900-99
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186902-80
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186901-34
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186903-25
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186904-71
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0098680-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 GaAs의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 GaAs의 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부에 형성된 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 스페이서층, 상기 스페이서층의 상부에 형성된 N형 불순물이 도핑된 AlGaAs의 도핑층과, 상기 도핑층 상부의 소정 부분에 채널 영역에 의해 소정 거리 이격되어 형성된 N형 불순물이 도핑된 GaAs의 캡층과, 상기 캡층의 상부에 형성된 오믹 전극과, 상기 오믹전극의 하부 캡층에서 상기 버퍼층 까지 상기 오믹전극과 합금되어 형성된 오믹 접촉 영역과, 상기 버퍼층 상부의 상기 오믹 접촉 영역 사이에 형성된 2차원 전자 기체층과, 상기 도핑층의 채널 영역 상부에 채널의 폭 방향으로 길게 형성된 제1, 제2 및 제3 게이트 전극을 포함하는 평면 공명 관통 다이오드

2 2

제1항에 있어서, 상기 N형 불순물이 Si인 평면 공명관통 다이오드

3 3

제1항에 있어서, 상기 제2 및 제3 게이트 전극 사이의 거리가 상기 제1 및 제2 게이트 전극 사이의 거리보다 길게 형성된 평면 공명관통 다이오드

4 4

제1항에 있어서, 상기 제3 게이트 전극의 포텐샬 장벽의 높이가 상기 제1 및 제2 게이트 전극의 포텐샬 장벽의 높이 보다 낮은 평면 공명관통 다이오드

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP09162423 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9162423 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09162423 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.