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산화아연 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075345
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물리적인 증착법으로 소정 기판(1) 상에 소정 크기의 입자를 가진 산화아연 박막을 형성하는 제1단계 : 및 상기 산화아연 박막이 형성된 기판(1)을 소정 시간 동안 가열한 후 냉각시켜 열적 충격에 의해 상기 산화아연 박막의 취약한 입자 경계가 깨어지도록 하여 양자구슬을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법에 관한 것으로, 제품의 특성 및 제조 수율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1019950055889 (1995.12.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198932-0000 (1999.03.03)
공개번호/일자 10-1997-0052908 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
2 원용협 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0214931-06
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0214930-50
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0214929-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0214932-41
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1997.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0214933-97
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0113522-37
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0751454-24
8 의견서
Written Opinion		 1998.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0751448-50
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0473377-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법에 있어서, 물리적인 증착법을 기판 상에 5 내지 10nm 크기의 그레인을 갖는 산화아연 박막을 형성하는 제1단계 : 진공하에서 상기 산화아연 박막을 가열하는 제2단계 : 및 열적 충격에 의해 상기 산화아연 박막의 그레인 경계가 깨져 양자구슬이 형성되도록, 가열된 상기 산화아연 박막을 공냉시키는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1단계의 물리적인 증착법은 스퍼터링 증착법임을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 제1단계는, 상기 스퍼터링 증착시 스퍼터 챔버의 진공도를 강하시킨 다음 아르곤(Ar) 가스를 충전시키는 단계와, 고주파 전력원을 사용하여 글로우 방열(Glow Discharge)을 발생시켜 산화아연 박막을 상기 기판 상에 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 챔버의 진공도가 4×10-3Torr가 될 때까지 상기 아르곤 가스를 충전시키는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

5 5

제3항에 있어서, 상기 고주파 전력원은 100W, 13

6 6

제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1단계에서 상기 산화아연 박막은 5 내지 10nm 크기의 그레인 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 제1단계에서 상기 산화아연 박막은 육각 비러자이트 결정구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

8 8

제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 산화아연 박막이 형성된 기판을 10-6이하의 진공도를 갖는 석영관에 넣고 적어도 400℃의 온도하에서 가열하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

9 9

제1항에 있어서, 상기 기판의 전체구조 상에 계속해서, PMMA(Poly methylmethacrylate) 용액 또는 콜로디온(Collodion) 용액을 스핀 코팅한 후, 열경화(Curting)시키는 제4단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

10 10

제9항에 있어서, 상기 제4단계는 100℃의 온도 하에서 1시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

11 11

제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판은 용융 실리카(Fused Silica) 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.